[发明专利]固体摄影元件、装置、设备及偏振元件的制造方法有效
申请号: | 201510666240.X | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN105355637B | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 小泽谦;大冈豊;大谷荣二 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄玫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄影 元件 装置 设备 偏振 制造 方法 | ||
1.一种固体摄影装置,具有多个固体摄影元件,该固体摄影元件具备:
(A)光电转换元件、及
(B)设置于光电转换元件的光入射侧的偏振元件,其中,所述固体摄影装置具备偏振方位不同的两种以上的偏振元件,
各偏振元件具有层叠结构,其中从光电转换元件侧起,层叠条纹状的反射层、形成于反射层上的绝缘层、及以分开的状态形成于绝缘层上的多个断片构成的光吸收层,
其中,条纹状的反射层的延伸的方向上的反射层的长度比沿条纹状的反射层的延伸的方向的固体摄影元件的长度短,
条纹状的反射层的延伸的方向与用于消光的偏振方位一致,条纹状的反射层的重复方向与用于透光的偏振方位一致,
断片的长边与条纹状的反射层的延伸方向平行,断片的短边与条纹状的反射层的重复方向平行,并且在将条纹状的反射层的延伸的方向上的光吸收层的断片的形成间距设定为Pab-1、将条纹状的反射层的重复方向上的光吸收层的断片的形成间距设定为Pab-2、将入射到偏振元件的光的最短波长设定为λmin、将入射偏振元件的光通过的介质的折射率设定为n0、将向偏振元件的光的入射角的最大值设定为θin-max时,满足
(Pab-12+Pab-22)1/2≦[(λmin/n0)×cos(θin-max)]。
2.如权利要求1所述的固体摄影装置,其中,
在光电转换元件的上方配置有芯片上透镜,
在芯片上透镜的上方设置有偏振元件。
3.如权利要求2所述的固体摄影装置,其中,
在将偏振元件和芯片上透镜之间的光轴方向的距离设定为D、将芯片上透镜的凹陷量设定为S、将偏振元件和芯片上透镜之间存在的介质的折射率设定为n1、将邻接的偏振元件之间存在的间隙的宽度设定为2×R、将向偏振元件的光的入射角的最大值设定为θin-max时,满足
R≧(D+S)×tan[sin-1(sin(θin-max)/n1)]。
4.如权利要求2所述的固体摄影装置,其中,
在位于芯片上透镜和偏振元件之间的平面内的区域,在位于邻接的芯片上透镜和芯片上透镜之间的区域设有遮光层。
5.如权利要求2所述的固体摄影装置,其中,
在芯片上透镜和偏振元件之间形成有,从芯片上透镜侧起,平坦化层和由无机材料构成的层间绝缘层。
6.如权利要求2所述的固体摄影装置,其中,
在光电转换元件和芯片上透镜之间配置有波长选择层。
7.如权利要求1所述的固体摄影装置,其中,
在光电转换元件的上方配置有芯片上透镜,
在光电转换元件和芯片上透镜之间设置有偏振元件。
8.如权利要求7所述的固体摄影装置,其中,
在芯片上透镜和偏振元件之间配置有波长选择层。
9.如权利要求8所述的固体摄影装置,其中,
在将条纹状的反射层的延伸的方向的光吸收层的断片的长度设定为Lab时,根据通过波长选择层的光的波长,决定Pab-1及Lab。
10.如权利要求1所述的固体摄影装置,其中,
在将条纹状的反射层的延伸方向上光吸收层的断片的长度设定为Lab时,满足
0.5≦(Lab/Pab-1)<1。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的