[发明专利]化学气相沉积的晶片及薄膜温度的控制系统及其方法

权利要求书

1.一种化学气相沉积的晶片及薄膜温度的控制系统，其特征在于包含：

承载盘，绕着中心轴旋转；

多个晶片承载器，位于该承载盘，每个该晶片承载器承载一个晶片，并进行自转；

工艺气体，靠近该晶片的第一表面，经加热反应形成薄膜沉积在该第一表面上；

均热板，设置于该晶片第二表面，用于加热该晶片，该第二表面相对于该第一表面；

一个或多个温度测量器，设置于接近该第二表面的一侧，用于获得该均热板相对于该晶片的反面温度，并以该反面温度推测该晶片的晶片端温度；

其中该晶片及薄膜温度的控制是以该一个或多个温度测量器的温度设定值做反复迭代回授温度控制，于工艺初始时，该一个或多个温度测量器的温度设定值SET1与该晶片的该晶片端温度T2具有一温度差ΔT，并以该均热板相对于该晶片的该反面温度T1加上ΔT作为该一或多个温度测量器的温度设定值，经反复迭代回授温度控制，使得ΔT趋近于零。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于还包含一个或多个晶片端温度测量器，设置于接近该第一表面的一侧，以测量该晶片的该晶片端温度。

3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于该晶片端温度是该晶片的该第一表面的温度。

4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于该晶片端温度是该均热板面向该晶片的正面温度。

5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于该晶片端温度是该薄膜的表面温度。

6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于该系统是一种晶片朝上的金属有机化学气相沉积系统。

7.根据权利要求1所述的系统，其特征在于该系统是一种晶片朝下的金属有机化学气相沉积系统。

8.根据权利要求1所述的系统，其特征在于该一个或多个温度测量器为一个或多个远红外线温度测量器。

9.一种化学气相沉积的晶片及薄膜温度的控制方法，其特征在于包含下列步骤：

提供承载盘绕着中心轴旋转，该承载盘包含多个晶片承载器分别承载一个晶片并进行自转；

提供工艺气体靠近该晶片的第一表面并经加热反应形成薄膜沉积在该第一表面上；

提供均热板于该晶片相对于该第一表面的第二表面；

提供一个或多个温度测量器于接近该第二表面的一侧，用于获得该均热板相对于该晶片的反面温度；以及

以该反面温度推测该晶片的晶片端温度；

其中该晶片及薄膜温度的控制是以该一个或多个温度测量器的温度设定值做反复迭代回授温度控制，于制程初始时，该一个或多个温度测量器的温度设定值SET1与该晶片的该晶片端温度T2具有一温度差ΔT，并以该均热板相对于该晶片的该反面温度T1加上ΔT作为该一或多个温度测量器的温度设定值，经反复迭代回授温度控制，使得ΔT趋近于零。

10.根据权利要求9所述的控制方法，其特征在于该晶片端温度包含该晶片温度及薄膜的表面温度。