[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201510666535.7 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106586946A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王伟;许继辉;郑超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有图案化的第一键合材料层；
步骤S2：在所述第一键合材料层的两侧形成分别形成凸出的第一密封环和第二密封环，其中，所述第一密封环和所述第二密封环与所述第一键合材料层之间均具有间隙；
步骤S3：提供顶部晶圆并与所述底部晶圆相接合。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
步骤S21：在所述底部晶圆上沉积密封环材料，以覆盖所述底部晶圆和所述第一键合材料层；
步骤S22：图案化所述密封环材料，以在所述第一键合材料层的两侧形成所述第一密封环和所述第二密封环。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一键合材料层呈环形结构。
4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述第一密封环和所述第二密封环均呈环形结构。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述顶部晶圆上还形成有与所述第一键合材料层相对应的第二键合材料层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述第一键合材料层选用金属材料；
所述第一密封环和所述第二密封环选用氧化物。
7.一种MEMS器件，包括：
底部晶圆；
第一键合材料层，位于所述底部晶圆正面的边缘；
第一密封环和第二密封环，分别位于所述底部晶圆正面所述第一键合材料层的两侧，其中，所述第一密封环和所述第二密封环与所述第一键合材料层之间均具有间隙；
顶部晶圆，与所述底部晶圆相接合。
8.根据权利要求7所述的MEMS器件，其特征在于，所述顶部晶圆上还设置有与所述第一键合材料层相对应的第二键合材料层。
9.根据权利要求7所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一键合材料层选用金属材料；
所述第一密封环和所述第二密封环选用氧化物。
10.一种电子装置，包括权利要求7至9之一所述的MEMS器件。
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