[发明专利]一种导电薄膜在审
申请号: | 201510666558.8 | 申请日: | 2015-10-15 |
公开(公告)号: | CN105244082A | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | 黄云鸿 | 申请(专利权)人: | 黄云鸿 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;G06F3/044 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 周玉红 |
地址: | 541006 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 导电 薄膜 | ||
1.一种导电薄膜,其特征在于:所述导电薄膜包括基材薄膜(1)、光学调节层(2)和导电层(3),所述基材薄膜(1)与所述光学调节层(2)连接,所述光学调节层(2)与所述导电层(3)连接。
2.根据权利要求1所述一种导电薄膜,其特征在于,所述导电薄膜包括两层导电层(3),两层所述导电层(3)之间设有两层光学调节层(2),两层所述光学调节层(2)之间设有基材薄膜(1)。
3.根据权利要求2所述一种导电薄膜,其特征在于,两层所述导电层(3)外侧还各设置有一层柔性透明薄膜(4)。
4.根据权利要求1-3任一项所述一种导电薄膜,其特征在于,所述导电层(3)为石墨烯材料,所述石墨烯材料为纯净石墨烯,采用化学气相沉积法,在气体碳源和保护条件生长石墨烯,再将生长的石墨烯转移到柔性透明薄膜(4)上。
5.根据权利要求1-3任一项所述一种导电薄膜,其特征在于,所述导电层(3)为石墨烯材料,所述石墨烯为掺杂石墨烯,采用化学气相沉积法,在气体碳源和保护气的条件下生长石墨烯,将生长的石墨烯转移到柔性透明薄膜(4)上,将其在含有化学掺杂试剂溶液中浸泡掺杂。
6.根据权利要求1-3任一项所述一种导电薄膜,其特征在于,所述导电层(3)为石墨烯材料,所述石墨烯为附有金属网格的石墨烯,采用光刻或刻蚀技术在柔性透明薄膜(4)上制作金属网格结构,采用化学气相沉积法,在气体碳源和保护条件下生长石墨烯,并将生长的石墨烯转移至附有金属网格的柔性透明薄膜(4)上。
7.根据权利要求1-3任一项所述一种导电薄膜,其特征在于,所述导电层(3)是导电性有机高分子层,所述导电性有机高分子层的导电性有机高分子化合物是聚噻吩类、聚苯胺类和聚吡咯类化合物中的一种或多种。
8.根据权利要求1-3任一项所述一种导电薄膜,其特征在于,所述光学调节层(2)包括热塑性树脂、热固化性树脂和活性能量线固化性树脂中的一种或多种,以及200nm以下的金属氧化物颗粒。
9.根据权利要求1-3任一项所述一种导电薄膜,其特征在于,所述基材薄膜(1)为PET膜,所述基材薄膜(1)与光学调节层(2)之间设置有硬涂层。
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