[发明专利]靶材侧面切槽刀具

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种靶材侧面切槽刀具。

背景技术

物理气相沉积法(Physical Vapor Deposition；PVD)是半导体芯片制造中最为普遍的工艺之一，而PVD用溅射靶材是配线材料、液晶平板显示器、光学镜头、电子成像、太阳能电池等制造工艺中尤为重要的原材料之一。

根据应用环境以及溅射要求，靶材的形状和特性也各不相同，目前形状为圆环形且内侧为V型内槽的靶材逐渐被广泛使用，而V型内槽的形状和尺寸特殊，现有技术中未有加工所述V型内槽的刀具。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种靶材侧面切槽刀具，以得到具有侧面V型内槽的靶材。

为解决上述问题，本发明提供一种靶材侧面切槽刀具，所述靶材为环形靶材，包括内环面和外环面，所述刀具用于对所述内环面进行切削形成内槽。所述刀具包括：

刀杆，所述刀杆在延伸方向上包括第一端面和第二端面，所述第一端面用于在切槽时靠近所述靶材的内环面，所述刀杆还包括位于所述第一端面和第二端面之间的侧面；

刀头，凸出设置于一侧面靠近所述刀杆第一端面的位置处，设置有刀头的侧面为连接侧面，用于在切削过程中朝向所述靶材的内环面；

所述刀头包括设置于所述连接侧面且背向所述第一端面的第一刀面以及与第一端面相连的第二刀面，所述第一刀面与所述第二刀面相交且所述第一刀面与所述第二刀面之间夹角为锐角；所述第一刀面与所述第二刀面相连接处为第一棱，用于在切削过程中接触靶材侧面对并靶材侧面进行切削形成内 槽；所述第一棱包括第一端点和第二端点，所述第一端点位于所述第二端点远离所述第一端面的位置处。

可选的，所述第一刀面与所述第二刀面之间的夹角为48°至52°。

可选的，所述连接侧面靠近所述刀头处设置有凹槽，所述凹槽由所述第一刀面与所述第一刀面相对的凹槽侧面和位于第一刀面和凹槽侧面之间的底面围成。

可选的，所述凹槽沿刀杆延伸方向的截面形状为底部尺寸小、开口尺寸大的梯形。

可选的，所述第一端面与所述第二刀面相连接处为第二棱，所述第一刀面与所述凹槽的底面相连接处为第三棱，所述第二棱与所述第三棱在所述连接侧面上的投影呈7°至9°的夹角。

可选的，所述刀杆在垂直于延伸方向上的横截面为四边形，所述刀杆还包括与所述连接侧面相对且平行的第一侧面，所述凹槽的底面与所述第一侧面和所述连接侧面相平行。

可选的，所述凹槽的底面与所述凹槽侧面相连接处为第四棱，在面向所述第二端面方向的投影面上，所述第四棱至所述连接侧面的距离为2.9mm至3.1mm。

可选的，所述凹槽的底面与所述凹槽侧面相连接处为第四棱，在面向所述第一侧面方向的投影面上，所述第四棱至所述第一端面的距离为4.9mm至5.1mm。

可选的，所述刀杆还包括：连接所述连接侧面和所述第一侧面的第二侧面；所述第二侧面与所述连接侧面相连接处为第五棱，位于所述连接侧面且与所述第五棱相对的第六棱，所述第五棱与所述第六棱的距离为9.9mm至10.1mm。

可选的，所述第二侧面与所述第一侧面相连接处为第七棱，所述第七棱与所述第五棱的距离为9.9mm至10.1mm。

可选的，在面向所述第一侧面方向的投影面上，所述第一端面至所述第 二端面的距离为68.9mm至69.1mm。

可选的，所述第一棱具有圆角结构。

可选的，所述圆角结构的圆角半径为0.19mm至0.21mm。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：所述第一刀面与所述第二刀面之间的角度为锐角，构成V型刀面结构，采用所述刀具对靶材侧面进行加工后，能够直接形成所需靶材侧面的V型内槽；且通过使所述第一端点位于所述第二端点远离所述第一端面的位置处，从而采用靠近所述第一端点的部分刀头对靶材侧面进行加工时，避免靠近所述第二端点的部分刀头与靶材发生摩擦，进而避免对所述刀具的刀头进入靶材侧面深度的影响，采用所述刀具对靶材侧面进行加工后，在所述靶材侧面形成内槽且所述靶材侧面内槽的尺寸及形状满足工艺规格。

附图说明

图1是本发明靶材侧面切槽刀具一实施例面向连接侧面方向的结构示意图；

图2是本发明靶材侧面切槽刀具一实施例面向第一端面方向的结构示意图；

图3是本发明靶材侧面切槽刀具一实施例面向第一侧面方向的结构示意图；

图4是图1至图3所示靶材侧面切槽刀具面向连接侧面方向的正视图；