[发明专利]提拉法制备单晶硅棒过程中引细颈的方法在审
| 申请号： | 201510668808.1 | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105177703A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 王会敏;何京辉;曹祥瑞;颜超;程志;周子江;刘钦;陈二星 | 申请（专利权）人： | 邢台晶龙电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/22 | 分类号： | C30B15/22 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 054001 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 法制 单晶硅 过程 中引细颈 方法 | ||
1.提拉法制备单晶硅棒过程中引细颈的方法，其特征在于，包括以下步骤：
一、将籽晶插入熔融硅中，提拉籽晶引细颈，引细颈初期籽晶拉速控制在0.5～3.0mm/min，细颈直径控制在6～8mm，并逐步将细颈直径缩细，引细颈长度为25±2mm；
二、引细颈中期籽晶拉速控制在2.0～6.0mm/min，细颈直径缩细至直径3～5mm，之后控制拉速，使细颈匀速生长，引细颈长度为52±2mm；
三、引细颈后期籽晶拉速控制在0.9～1.1mm/min，维持2～3分钟，再进行放肩工艺。
2.根据权利要求１所述的提拉法制备单晶硅棒过程中引细颈的方法，其特征在于所述步骤一中，引细颈初期引细颈长度为25mm。
3.根据权利要求１所述的提拉法制备单晶硅棒过程中引细颈的方法，其特征在于所述步骤二中，引细颈中期引细颈长度为50mm。
4.根据权利要求１所述的提拉法制备单晶硅棒过程中引细颈的方法，其特征在于所述步骤三中，引细颈后期籽晶拉速控制在1.0mm/min。
5.根据权利要求１所述的提拉法制备单晶硅棒过程中引细颈的方法，其特征在于籽晶插入熔融硅之后、提拉籽晶之前，控制籽晶与熔融硅接触时间为30分钟。
6.根据权利要求5所述的提拉法制备单晶硅棒过程中引细颈的方法，其特征在于籽晶与熔融硅接触时将承载熔融硅的坩埚转速降至1～2转/min，接触时间完毕在准备引细颈前将所述坩埚转速缓慢增加至正常拉晶所用转速。
7.根据权利要求１所述的提拉法制备单晶硅棒过程中引细颈的方法，其特征在于籽晶插入熔融硅之前，将籽晶降下至离熔融硅液面3～5mm距离，使籽晶预热。
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