[发明专利]切割半导体晶片的方法

说明书

本发明公开一种分割晶片的方法。该方法包括提供具有第一主表面和第二主表面的晶片。晶片预备有多个裸片，该裸片位于主设备区域上，并由晶片的第一主表面上的分割通道彼此分开。在晶片的第一主表面或第二主表面上提供膜。该膜至少覆盖对应于主设备区域的区域。该方法还包括利用膜作为蚀刻掩模，通过晶片露出的半导体材料等离子蚀刻晶片，以形成空隙将所述晶片上的多个裸片分隔成多个单独裸片。

相关申请的交叉引用

本申请要求美国临时申请号62062,967，申请日2014年10月13日，名称“切割半导体晶片的方法”的优先权，其公开内容通过引用全部合并于此用于各种目的。

背景技术

切割工艺，亦称作分割，通常用来分隔形成在晶片上的多个芯片。可采用各种各样的切割工艺来将形成在晶片上的多个芯片分隔成单个芯片用于封装。一种常用工艺为机械锯切。在机械锯切过程中，高速转动的金刚石锯沿锯道或分割通道将芯片彼此分隔。然而，由于刀口引起的机械应力，各芯片容易出现裂纹或碎屑。此外，采用机械锯切从整片晶片分隔芯片是非常耗费时间的。

为了缓解上述问题，已提出一种等离子蚀刻工艺用于切割或分割晶片。然而，我们发现，通常的等离子蚀刻工艺不能有效地从晶片分隔裸片，且切割的裸片还可能遭受由等离子蚀刻工艺引起的污染。通常的等离子蚀刻工艺还可导致切割的裸片的粗糙或不均匀的侧表面或侧壁。

有鉴于此，希望提供一种可靠、简单、高效、经济有效的方法，用于从晶片切割半导体芯片或裸片。

发明内容

一般地，实施例涉及半导体裸片的切割方法。在一个方面，公开一种分割晶片的方法。该方法包括提供具有第一主表面和第二主表面的晶片。晶片预备有多个裸片，该多个裸片位于主设备区域上，并被晶片第一主表面上的分割通道彼此分开。在晶片的第一主表面或第二主表面上提供膜。该膜至少覆盖对应于主设备区域的区域。该方法还包括利用膜作为刻蚀掩模，通过晶片露出的半导体材料等离子蚀刻晶片，以形成空隙将所述晶片上的多个裸片分隔成多个单独裸片。

这些实施例以及本文揭露的其他优点和特征，将通过结合下述描述和附图而显而易见。此外，应理解本文描述的各实施例不是互相排斥的，可存在于各种组合排列。

附图说明

附图中，相同的附图标记一般表示不同视图中的相同部件。另外，附图不一定是按比例绘制的，而是一般将重点放在说明本发明的原理上。在下述描述中，参照附图描述本发明的各实施例，其中：

图1示出半导体晶片的简化主视图；

图2a-2e、图3a-3b、图4a-4d和图5a-5d示出切割半导体晶片的工艺的各实施例。

具体实施方式

一般地，实施例涉及切割或分割半导体晶片的方法。本公开所描述的实施例涉及切割工艺中的等离子蚀刻工艺。本公开的实施例可应用于切割任何类型的晶片，包括对机械应力敏感的晶片，诸如其中具有低k和超低k材料的晶片。本公开中将描述的切割方法还可用于晶片级芯片尺寸封装(WLCSP)应用，其中进行晶片级封装之后执行分割。例如，所述芯片/裸片或封装可包括任何类型的集成电路(IC)，诸如存储设备、光电设备、逻辑设备、通信设备、数字信号处理器(DSP)、微控制器、系统集成芯片以及其他类型设备或其组合，其中存储设备包括动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)以及各种类型的非易失性存储器(包括可编程只读存储器(PROM)和闪存)。这些裸片/芯片或封装可并入电子产品或装备，诸如手机、电脑以及移动产品和移动智能产品。裸片也可用于并入其他类型产品。

图1示出半导体晶片110的简化主视图。例如，半导体晶片可为硅片。也可使用其他合适类型的晶片。例如，晶片可为p型或n型掺杂晶片。