[发明专利]D类放大器及其无损驱动方法在审

专利信息
申请号: 201510671113.9 申请日: 2015-10-15
公开(公告)号: CN106603029A 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 陈锋 申请(专利权)人: 杭州硅星科技有限公司
主分类号: H03F3/217 分类号: H03F3/217
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 邓佳
地址: 310012 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 放大器 及其 无损 驱动 方法
【权利要求书】:

1.一种D类放大器,其特征在于,包括调制器、无损驱动电路和桥式电路,所述调制器通过无损驱动电路与所述桥式电路连接,所述无损驱动电路包括电源、多个开关、电感、用于控制所述开关的开关状态的时序产生器和用于测量所述桥式电路中的MOS管栅极及源极之间电压的电压探测器,所述电源通过所述开关及电感与所述桥式电路中MOS管的栅极连接,所述调制器和电压探测器均与所述时序产生器连接,通过所述时序产生器控制所述开关的通断使得所述电源经电感与所述MOS管连接以为MOS管的栅极与源极之间的寄生电容充电或使得已储能的所述电感给所述MOS管的所述寄生电容充电,通过所述时序产生器控制所述开关的通断使得所述MOS管的所述寄生电容经所述电感接地放电或经所述开关、电感接电源放电给所述电源。

2.如权利要求1所述的D类放大器,其特征在于,所述时序产生器根据所述调制器输出的调制信号中的上跳沿产生对MOS管充电的控制信号,所述时序产生器获得所述电压探测器探测到的电压,并在MOS管的栅极及源极之间电压达到一设定值时产生切断MOS管充电过程的控制信号,所述时序产生器根据所述调制器产生的调制信号中的下跳沿产生对MOS管放电的控制信号,所述时序产生器获得所述电压探测器探测到的电压,并在MOS管的栅极及源极之间电压达到另一设定值时产生切断MOS管放电过程的控制信号。

3.如权利要求1所述的D类放大器,其特征在于,还包括用于测量所述电感电流的电流探测器,所述电流探测器与所述时序产生器连接,所述时序产生器能够根据所述电流探测器检测的电感电流信号控制所述开关的通断,进而使得所述电源为电感补充电流。

4.如权利要求1-3中任一项所述的D类放大器,其特征在于,所述桥式电路为半桥电路或全桥电路。

5.如权利要求4所述的D类放大器,其特征在于,所述桥式电路为全桥电路,且包括第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一NMOS管和第二NMOS 管的源极均接地,多个所述开关包括第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关、第六开关、第七开关和第八开关,所述电源通过所述第一开关、电感和第六开关与第一NMOS管的栅极连接,所述第二开关的一端接地,另一端通过所述电感、第六开关与第一NMOS管的栅极连接,所述第一NMOS管的栅极通过所述第五开关、电感与第四开关的一端连接,所述第四开关的另一端接地,所述第一NMOS管的栅极通过所述第五开关、电感和第三开关与所述电源连接,所述电源通过所述第一开关、电感和第八开关与第二NMOS管的栅极连接,所述第四开关通过所述电感、第七开关与第二NMOS管的栅极连接,所述第二NMOS管的栅极通过所述第七开关、电感与第四开关的一端连接,所述第二NMOS管的栅极通过所述第七开关、电感和第三开关与所述电源连接。

6.如权利要求5所述的D类放大器,其特征在于,所述电感的一端通过所述第二开关接地,另一端通过所述第三开关接所述电源,用于将电感中电流回收给所述电源。

7.如权利要求1所述的D类放大器,其特征在于,还包括反馈单元和减法器,所述减法器的输出端与所述调制器连接,所述反馈单元的一端与所述桥式电路的输出端连接,另一端与所述减法器的输入端连接。

8.如权利要求1所述的D类放大器,其特征在于,所述调制器为PWM调制器或PDM调制器。

9.如权利要求1所述的D类放大器,其特征在于,所述桥式电路与负载连接,所述负载为扬声器。

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