[发明专利]衰减相移掩膜及其制造方法在审
| 申请号： | 201510672845.X | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN106597803A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 施维 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/32 | 分类号： | G03F1/32 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衰减 相移 及其 制造 方法 | ||
1.一种衰减相移掩膜的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供透光基板，在所述透光基板上形成图形化的相移层，以及位于边缘区域的相移层上的遮光层；
在所述遮光层表面形成不导电的氧化层。
2.如权利要求1所述的衰减相移掩膜的制造方法，其特征在于，通过氧等离子体处理所述遮光层表面以在所述遮光层表面形成氧化层。
3.如权利要求1所述的衰减相移掩膜的制造方法，其特征在于，通过紫外光照射所述遮光层表面以在所述遮光层表面形成氧化层。
4.如权利要求1-3之一所述的衰减相移掩膜的制造方法，其特征在于，所述相移层为钼硅化合物，所述遮光层为铬层，所述氧化层为铬的氧化物。
5.一种衰减相移掩膜的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供透光基板，在所述透光基板上形成相移层和遮光层；
对所述相移层和遮光层进行第一次图形化，以使所述相移层形成预定图形；
在所述遮光层表面形成不导电的氧化层；
对所述相移层和遮光层进行第二次图形化，以去除位于中间区域的相移层上的遮光层和氧化层，保留位于边缘区域的相移层上的遮光层和氧化层。
6.如权利要求5所述的衰减相移掩膜的制造方法，其特征在于，通过氧等离子体处理所述遮光层表面以在所述遮光层表面形成氧化层。
7.如权利要求5所述的衰减相移掩膜的制造方法，其特征在于，通过紫外光照射所述遮光层表面以在所述遮光层表面形成氧化层。
8.如权利要求5-7之一所述的衰减相移掩膜的制造方法，其特征在于，所述相移层为钼硅化合物，所述遮光层为铬层，所述氧化层为铬的氧化物。
9.一种衰减相移掩膜，其特征在于，包括透光基板，在所述透光基板上形成有图形化的相移层，以及位于边缘区域的相移层上的遮 光层，在所述遮光层表面形成有不导电的氧化层。
10.如权利要求9所述的衰减相移掩膜，其特征在于，所述相移层为钼硅化合物，所述遮光层为铬层，所述氧化层为铬的氧化物。
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