[发明专利]电化学沉积法制备Cu2FeSnS4薄膜在审
| 申请号： | 201510672895.8 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105332026A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 周继承;刘涵坚;李红江;秦云龙;张哲 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C25D3/58 | 分类号： | C25D3/58;C25D5/50;H01L31/032 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电化学 沉积 法制 cu sub fesns 薄膜 | ||
1.一种黄锡矿结构Cu2FeSnS4薄膜的电化学沉积制备方法，其特征在于，三元共沉积制备金属预制层，再通过硫化退火形成Cu2FeSnS4薄膜：
按摩尔比CuCl2·2H2O∶FeCl2·4H2O∶SnCl2·2H2O＝2∶20∶1的原则称量，搅拌并溶解于超纯水，同时配以一定量的柠檬酸三钠、酒石酸、D-山梨醇、抗坏血酸，调节PH直至沉淀完全溶解；采用含工作电极、对电极和参比电极的三电极电化学体系，以Mo作为工作电极、石墨作为对电极、甘汞电极作为参比电极，采用恒电位沉积的方式，沉积得到铜铁锡金属预制层；然后用硫粉作为硫源，在高纯氩气的保护下硫化退火得到Cu2FeSnS4薄膜。
2.根据权利要求1所述的黄锡矿结构Cu2FeSnS4薄膜的电化学沉积制备方法，其特征在于，当CuCl2·2H2O、FeCl2·4H2O、SnCl2·2H2O的摩尔比为2∶20∶1时，加入的添加剂柠檬酸三钠、酒石酸、D-山梨醇、抗坏血酸的摩尔比为10∶5∶1∶0.6。
3.根据权利要求1所述的黄锡矿结构Cu2FeSnS4薄膜的电化学沉积制备方法，其特征在于，-1.0～1.1伏特恒电位电化学沉积，时间为2000s，对制得的铜铁锡金属预制层依次使用无水乙醇和超纯水洗涤5-7次，然后置于干燥箱中在40-80℃下干燥2-10小时。
4.根据权利要求1所述的黄锡矿结构Cu2FeSnS4薄膜的电化学沉积制备方法，其特征在于，在含硫高纯氩气气氛下，铜铁锡金属预制层于550℃下硫化退火60min。
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