[发明专利]电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的方法及系统

权利要求书

1.一种电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的方法，其特征在于，所述方法包括：

识别所述以太网包交换芯片的等级，根据所述以太网包交换芯片等级获取其携带的SVB编码，所述SVB编码由4位二进制数字组成，所述SVB编码对应一组固定的电压值；

将所述SVB编码转换为电源芯片所能识别的VID编码，所述VID编码由8位二进制数字组成，每个所述VID编码对应一组固定的电压值；所述电源芯片的供应电压取值范围覆盖所述以太网包交换芯片的运行电压值，VID[7:0]=8’b0110 0101 + SVB[3:0] ，VID[7:0]表示VID编码，其为8位二进制数字，SVB[3:0]表示SVB编码，其为4位二进制数字，8’b0110 0101表示8bit二进制数字，其数值为0110 0101；

驱动所述电源芯片按照所述VID编码对应的电压值为所述以太网包交换芯片供应电压；

其中，所述电源芯片为intelVRD11.1标准规范的电源芯片，所述intelVRD11.1标准规范为：所述电源芯片供应的电压范围为0.5V-1.6V，调节步长为6.25mV。

2.根据权利要求1所述的电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的方法，其特征在于，

所述以太网包交换芯片根据其工艺角划分为16个等级，每个等级对应一组SVB编码，16个所述以太网包交换芯片的运行电压范围为0.88750V-0.98750V，步长为6.25mV 。

3.根据权利要求2所述的电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的方法，其特征在于，

所述以太网包交换芯片为以太网包交换芯片CTC8096。

4.根据权利要求3所述的电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的方法，其特征在于，

所述电源芯片为ISL6334D。

5.一种电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的系统，其特征在于，所述系统包括：

数据获取模块，用于识别所述以太网包交换芯片的等级，根据所述以太网包交换芯片等级获取其携带的SVB编码，所述SVB编码由4位二进制数字组成，所述SVB编码对应一组固定的电压值；

数据转换模块，用于将所述SVB编码转换为电源芯片所能识别的VID编码，所述VID编码由8位二进制数字组成，每个所述VID编码对应一组固定的电压值；所述电源芯片的供应电压取值范围覆盖所述以太网包交换芯片的运行电压值，VID[7:0]=8’b0110 0101 + SVB[3:0] ，VID[7:0]表示VID编码，其为8位二进制数字，SVB[3:0]表示SVB编码，其为4位二进制数字，8’b0110 0101表示8bit二进制数字，其数值为0110 0101；

数据输出模块，用于驱动所述电源芯片按照所述VID编码对应的电压值为所述以太网包交换芯片供应电压；

其中，所述电源芯片为intelVRD11.1标准规范的电源芯片，所述intelVRD11.1标准规范为：所述电源芯片供应的电压范围为0.5V-1.6V，调节步长为6.25mV。

6.根据权利要求5所述的电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的系统，其特征在于，

所述以太网包交换芯片根据其工艺角划分为16个等级，每个等级对应一组SVB编码，16个所述以太网包交换芯片的运行电压范围为0.88750V-0.98750V，步长为6.25mV 。

7.根据权利要求6所述的电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的系统，其特征在于，所述以太网包交换芯片为以太网包交换芯片CTC8096。

8.根据权利要求7所述的电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的系统，其特征在于，所述电源芯片为ISL6334D。