[发明专利]虚拟金属结构及形成虚拟金属结构的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包含：

在半导体晶圆的基材之上及多个晶粒区之间形成第一金属互连层，该第一金属互连层包括第一多个虚拟垂直互连进接口(VIA)及第一多条虚拟金属线，

其中，该第一多条虚拟金属线侧向连接该第一多个虚拟垂直互连进接口；

在该第一金属互连层之上及该多个晶粒区之间形成第二金属互连层，该第二金属互连层包括第二多个虚拟垂直互连进接口及第二多条虚拟金属线，

其中，该第二多个虚拟垂直互连进接口垂直连接该第一多条虚拟金属线与该第二多条虚拟金属线，并且该第二多条虚拟金属线侧向连接该第二多个虚拟垂直互连进接口；以及

在形成该半导体晶圆的剩余金属互连层时，以交替顺序形成该第一金属互连层与该第二金属互连层的一或多个，

其中，该第一多条虚拟金属线及该第二多条虚拟金属线的各个皆包括依第一方向延展的第一组该虚拟金属线及依第二方向延展的第二组该虚拟金属线，

其中，通过该第一多条虚拟金属线形成的图型是与通过该第二多条虚拟金属线形成的图型不同。

2.根据权利要求1所述的方法，包含：

于该多个晶粒区之间的实质全部的区域各处形成该第一多条虚拟金属线；以及

于该多个晶粒区之间的实质全部的该区域各处形成该第二多条虚拟金属线。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，该第二方向垂直于该第一方向。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一多条虚拟金属线及该第二多条虚拟金属线的各个内的该第一组及该第二组皆于交会处连接以形成接面区。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，该接面区的宽度及长度大于该第一多条虚拟金属线及该第二多条虚拟金属线的宽度。

6.根据权利要求1所述的方法，更包含：

在该基材内及/或该基材的顶端表面上形成基础金属互连垫；以及

形成连接至该基础金属互连垫的该第一多个虚拟垂直互连进接口。

7.根据权利要求1所述的方法，包含：

形成通过间隙与该多个晶粒区隔开的该第一金属互连层及该第二金属互连层。

8.一种半导体装置，包含：

基材；

位于该基材之上及多个晶粒区之间的第一金属互连层，该第一金属互连层包括第一多个虚拟垂直互连进接口(VIA)及第一多条虚拟金属线，

其中，该第一多条虚拟金属线侧向连接该第一多个虚拟垂直互连进接口；

位于该第一金属互连层之上及该多个晶粒区之间的第二金属互连层，该第二金属互连层包括第二多个虚拟垂直互连进接口及第二多条虚拟金属线，

其中，该第二多个虚拟垂直互连进接口垂直连接该第一多条虚拟金属线与该第二多条虚拟金属线，并且该第二多条虚拟金属线侧向连接该第二多个虚拟垂直互连进接口；以及

一或多个附加金属互连层，其对应于该第一金属互连层及该第二金属互连层并以交替顺序构成该装置的剩余金属互连层，

其中，该第一多条虚拟金属线及该第二多条虚拟金属线的各个皆包括依第一方向延展的第一组该虚拟金属线及依第二方向延展的第二组该虚拟金属线，

其中，通过该第一多条虚拟金属线形成的图型是与通过该第二多条虚拟金属线形成的图型不同。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，该第一多条虚拟金属线延展于该多个晶粒区之间的实质全部的区域各处，并且该第二多条虚拟金属线延展于该多个晶粒区之间的实质全部的该区域各处。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，该第二方向垂直于该第一方向。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，该第一多条虚拟金属线及该第二多条虚拟金属线的各个内的该第一组及该第二组皆于交会处连接以形成接面区。