[发明专利]拼版蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201510675573.9 申请日: 2013-01-11
公开(公告)号: CN105296929B 公开(公告)日: 2018-06-08
发明(设计)人: 广部吉纪;松元丰;牛草昌人;武田利彦;小幡胜也;西村佑行 申请(专利权)人: 大日本印刷株式会社
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;C23C14/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 刘晓迪
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 金属掩模 蒸镀掩模 拼版 树脂薄膜材料 树脂掩模 开口部 制造 蒸镀 制作 有机半导体元件 图案 高精细化 开口空间 轻量化 多列 框体 掩模 配置 体内 加工
【权利要求书】:

1.一种拼版蒸镀掩模的制造方法,该拼版蒸镀掩模在框体内的开口空间配置多个掩模而构成,其特征在于,所述制造方法具有如下的工序:

准备所述框体、具有与所述框体内的开口空间的纵横方向的任一方向的尺寸对应的长度且在另一方向上具有比开口空间的尺寸短的长度的设有缝隙的多张金属掩模、分别与所述各金属掩模对应的多张树脂薄膜材料的工序;

将所述多张金属掩模安装在所述框架上的工序;

在所述将金属掩模安装在框架上的工序的前后,将所述多张树脂薄膜材料分别安装在所述多张金属掩模上的工序;

通过对所述树脂薄膜材料进行加工,形成与要蒸镀制作的图案对应的开口部,从而制作树脂掩模的工序。

2.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模的制造方法,其特征在于,

作为所述框架,使用具有将其开口空间划分成多个的梁部的框架。

3.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模的制造方法,其特征在于,

作为所述框架,使用具有将其开口空间划分成多个的梁部的框架,

在所述将金属掩模安装在框架上的工序中,

使用所述框架具有的梁部将所述金属掩模安装在所述框架上。

4.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模的制造方法,其特征在于,

对所述树脂薄膜材料进行激光加工,形成与所述要蒸镀制作的图案对应的开口部。

5.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模的制造方法,其特征在于,

在所述准备工序中准备的所述金属掩模为如下的构成,即,所述缝隙的截面形状向蒸镀源方向扩展。

6.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模的制造方法,其特征在于,

在所述准备工序中准备的所述金属掩模为如下的构成,即,在从横截面观察以所述树脂掩模为下、所述金属掩模为上的方式配置的蒸镀掩模时,由将所述金属掩模的所述缝隙的下底前端与上底前端连接的直线、和所述金属掩模的下底的直线构成的角度为25°以上且65°以下。

7.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模的制造方法,其特征在于,

在所述金属掩模上设有多个所述缝隙。

8.如权利要求1所述的拼板蒸镀掩模的制造方法,其特征在于,

所述缝隙通过桥接器而被分割。

9.如权利要求1所述的拼板蒸镀掩模的制造方法,其特征在于,

还具有将所述多个金属掩模及所述树脂掩模的任一方或双方的厚度最佳化的减薄工序。

10.如权利要求1所述的拼板蒸镀掩模的制造方法,其特征在于,

作为所述树脂薄膜材料,使用热膨胀系数为16ppm/℃以下的树脂薄膜材料。

11.如权利要求1所述的拼板蒸镀掩模的制造方法,其特征在于,

作为所述树脂薄膜材料,使用吸湿率为1.0%以下的树脂薄膜材料。

12.如权利要求1所述的拼板蒸镀掩模的制造方法,其特征在于,

作为所述树脂薄膜材料,使用热膨胀系数为16ppm/℃以下且吸湿率为1.0%以下的树脂薄膜材料。

13.如权利要求1所述的拼板蒸镀掩模的制造方法,其特征在于,

在所述制作树脂掩模的工序中,

以对形成于所述树脂掩模的所述开口部进行剖视时的截面形状为向蒸镀源方向扩展的形状的方式对所述树脂薄膜材料进行加工,在所述树脂薄膜材料上形成与所述要蒸镀制作的图案对应的开口部。

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