[发明专利]等离子体处理装置

说明书

技术领域

本发明用于在等离子体处理装置内部坚固地固定基板托盘，特别涉及一种等离子体处理装置，能够应用于在室的下部形成有等离子体的方式的等离子体处理装置，把基板托盘固定于室内。

背景技术

一般而言，在用于半导体的晶片及要求精密的薄膜加工工序中，使用利用了等离子体的蚀刻和沉积法，提高制品的精密度。

如此产生等离子体的等离子体处理装置，由形成外形的室和安装于室的外侧的天线及使晶片放置于室内部的卡盘构成。

由此，所述的天线供应高频，借助于高频而在室内部形成有等离子体，对放置于卡盘的晶片进行加工。

以往的等离子体处理装置在室上部形成等离子体，在下部固定托盘，利用等离子体蚀刻安放于托盘的晶片(基板)。这存在的问题是，在室上部发生的工序副产物借助于重力而落于基板，因此，工序副产物对基板的工序造成影响，蚀刻作业无法顺利进行，因而发生不良。

为了解决这种问题，提出了在室的上部固定托盘、在下部形成等离子体的方案。由此，消除了因工序副产物落于基板而发生不良的问题，但基板与以往朝向上面的情形相反，而是朝向下面，在把托盘坚固地固定于室的上部方面发生问题。

以往的日本专利公开公报2004-285469 A提出“载置架处理装置及方法”。但是，在这种现有文献中，只公开了在平行平板式电极之间接入高频电力并产生等离子体，借助于该等离子体而使工程气体激活，在较低温度下进行既定的成膜处理或蚀刻处理，并未针对在室内部坚固地固定基板托盘的手段进行公开。

作为所述背景技术而说明的事项，只是为了增进对本发明的背景的理解，不得视为承认属于该所属技术领域的技术人员已知的以往技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公开公报JP 2004-285469 A

发明内容

本发明正是为了解决这种问题而研发的，其目的在于提供一种等离子体处理装置，针对在室的下部形成有等离子体的方式的等离子体处理装置，在室内部坚固地固定基板托盘，使得基板托盘的周边工序环境均一，在蚀刻作业时使出错实现最少化。

旨在达成所述目的的本发明的等离子体处理装置包括：室，其具备供等离子体生成的空间，在上端壁部的下端固定有卡盘；第1夹具组件，其安装于所述室的上端壁部，配备有供基板托盘安放的第1夹具，配备得能够在室的内部沿上下方向升降，从而当上升运转时，使得基板托盘接触卡盘并固定；及第2夹具组件，其安装于所述室的上端壁部，配备得能够在室的内部沿上下方向升降，当包围所述第1夹具与基板托盘地形成的第2夹具上升运转时，使得基板托盘与第1夹具一同贴紧卡盘。

本发明的另一特征在于，所述室在上端壁部固定有卡盘，工程气体从下端壁部向上方供应，侧端壁部的上侧，天线配备于下侧。

本发明的另一特征在于，所述第1夹具组件包括：第1长度调节部，其固定安装于所述室的上端壁部上端，长度沿上下方向可变；第1运转部，其位于所述第1长度调节部的上侧，连接有第1长度调节部，借助于第1长度调节部而上下移动；第1支撑部，其从所述第1运转部向下方延长，贯通室的上端壁部，在延长的末端，具备在室的内部供基板托盘安放的第1夹具。

其特征在于，所述第1长度调节部包括：缸，其固定于室上端壁部；活塞杆，其配备得在缸中沿上下方向升降，且连接有第1运转部。

本发明的另一特征在于，所述第1运转部与室的上端壁部水平地配置，在中心连接有所述第1长度调节部，从中心呈辐射状延长形成有构成相同长度和等角的至少两个以上的第1连接臂，并连接有第1支撑部。

本发明的另一特征在于，所述第1运转部的第1连接臂能够弹性弯曲地形成。

本发明的另一特征在于，所述第1运转部从中心呈辐射状延长形成有三个第1连接臂。

本发明的另一特征在于，所述第1支撑部的一端连接于第1运转部的第1连接臂，另一端向下方延长而其末端位于比室内部的卡盘更下侧，在另一端配备有朝向室的中央以凸缘形态延长的第1夹具。

本发明的另一特征在于，连接于所述多个第1连接臂的各个第1支撑部，连接于以环形态形成的连接环的外周。

本发明的另一特征在于，所述连接环在第1支撑部的延长的末端连接于比第1夹具更上侧。

本发明的另一特征在于，在所述室中形成有引导支撑部，所述引导支撑部固定安装于上端壁部的上端，向上方延长，连接有第1夹具组件与第2夹具组件，从而使得第1夹具组件和第2夹具组件向相同方向升降，在延长的末端配备有固定面板。