[发明专利]一种结晶器铜管电镀铬的单质镍过渡层在审
| 申请号： | 201510676425.9 | 申请日： | 2015-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN105177656A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 姜少群 | 申请（专利权）人： | 姜少群 |
| 主分类号： | C25D7/04 | 分类号： | C25D7/04;C25D5/14;C25D3/12;C25D3/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315113 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结晶器 铜管 镀铬 单质 过渡 | ||
【权利要求书】：
1.一种结晶器铜管电镀铬的单质镍过渡层，其特征在于：所述单质镍过渡层位于结晶器铜管与电镀铬层之间，镀层厚度约3-4μm，该过渡层包括镍与铜管之间形成的镍铜冶金结合层、纯镍层以及镍与铬形成的镍铬冶金结合层三层结构；该过渡层通过电镀镀覆在结晶器铜管上，所述电镀采用的镀液成分为：氨基磺酸镍500-600g/L，硫酸镍25-35g/L，十二烷基硫酸钠55-65g/L；电镀工艺为：pH4-6，镀液温度约45-55℃，阴极电流密度4.5-6.5A/dm2，浸镀时间约10-20min。
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