[发明专利]薄膜场效应晶体管及其制作方法、液晶显示器

权利要求书

1.一种薄膜场效应晶体管，其特征在于，包括：

在基板(10)上的栅极金属层(20)；

覆盖所述基板(10)和所述栅极金属层(20)的栅极绝缘层(30)；

在所述栅极绝缘层(30)上且相互间隔的第一源极金属层(40a)和第一漏极金属层(40b)；

在所述第一源极金属层(40a)和所述第一漏极金属层(40b)上的有源层(50)；其中，所述有源层(50)填充所述第一源极金属层(40a)和所述第一漏极金属层(40b)之间的间隔，并在所述间隔的所在位置处形成沟道(510)；

在所述有源层(50)上的分别位于所述沟道(510)两侧的第二源极金属层(60a)和第二漏极金属层(60b)；其中，所述第二源极金属层(60a)和所述第一源极金属层(40a)接触，所述第二漏极金属层(60b)和所述第一漏极金属层(40b)接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述间隔露出部分所述栅极绝缘层(30)，其余部分所述栅极绝缘层(30)被所述第一源极金属层(40a)和所述第一漏极金属层(40b)完全覆盖。

3.根据权利要求2所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述有源层(50)覆盖所述第一源极金属层(40a)的部分，且所述有源层(50)覆盖所述第一漏极金属层(40b)的部分；所述第二源极金属层(60a)覆盖所述第一源极金属层(40a)的未被所述有源层(50)覆盖的部分，所述第二漏极金属层(60b)覆盖所述第一漏极金属层(40b)的未被所述有源层(50)覆盖的部分。

4.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述间隔露出部分所述栅极绝缘层(30)，其余部分所述栅极绝缘层(30)未被所述第一源极金属层(40a)和所述第一漏极金属层(40b)完全覆盖。

5.根据权利要求4所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述有源层(50)覆盖所述第一源极金属层(40a)的部分，且所述有源层(50)覆盖所述第一漏极金属层(40b)的部分；所述第二源极金属层(60a)覆盖所述第一源极金属层(40a)的未被所述有源层(50)覆盖的部分以及所述栅极绝缘层(30)未被所述第一源极金属层(40a)覆盖的部分，所述第二漏极金属层(60b)覆盖所述第一漏极金属层(40b)的未被所述有源层(50)覆盖的部分以及所述栅极绝缘层(30)未被所述第一漏极金属层(40b)覆盖的部分。

6.根据权利要求3或5所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，当所述薄膜场效应晶体管与像素电极(80)连接时，在所述第二源极金属层(60a)和所述第二漏极金属层(60b)上形成钝化层(70)，所述钝化层(70)填充所述沟道(510)并覆盖所述第二源极金属层(60a)和所述第二漏极金属层(60b)；在所述钝化层(70)中形成过孔(710)，其中，所述过孔(710)露出所述第二漏极金属层(60b)；在所述钝化层(70)上形成像素电极(80)，其中，所述像素电极(80)经由所述过孔(710)接触所述第二漏极金属层(60b)。

7.根据权利要求2所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述有源层(50)覆盖部分所述第一源极金属层(40a)，且所述有源层(50)覆盖部分所述第一漏极金属层(40b)；所述第二源极金属层(60a)覆盖其余部分所述第一源极金属层(40a)的部分，所述第二漏极金属层(60b)覆盖其余部分所述第一漏极金属层(40b)的部分。

8.根据权利要求7所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，当所述薄膜场效应晶体管与像素电极(80)连接时，在所述第二源极金属层(60a)和所述第二漏极金属层(60b)上形成钝化层(70)，所述钝化层(70)填充所述沟道(510)，所述钝化层(70)覆盖所述第二源极金属层(60a)以及所述第一源极金属层(40a)未被所述第二源极金属层(60a)覆盖的部分，且所述钝化层(70)覆盖所述第二漏极金属层(60b)以及所述第一漏极金属层(40b)未被所述第二漏极金属层(60b)覆盖的部分；在所述钝化层(70)中形成过孔(710)，其中，所述过孔(710)露出所述第一漏极金属层(40b)；在所述钝化层(70)上形成像素电极(80)，其中，所述像素电极(80)经由所述过孔(710)接触所述第一漏极金属层(40b)。