[发明专利]一种光学传感器在审
| 申请号： | 201510678913.3 | 申请日： | 2015-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN105244383A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 郑造时;陈盈宪;徐文斌 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/101 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光学 传感器 | ||
1.一种光学传感器，包括一基板、位于所述基板上的一控制元件与一感光元件，其特征在于，所述光学传感器还包括：
一第一绝缘层，设置于所述控制元件的上方；
一平坦层，设置于所述第一绝缘层的上方；
一第一金属阻挡层，设置于所述平坦层的上方，所述第一金属阻挡层作为一氢阻挡层以阻隔氢离子扩散进入所述控制元件；
一第二绝缘层，设置于所述第一金属阻挡层的上方；
一第二金属阻挡层，设置于所述第二绝缘层的上方；以及
一PIN层，位于所述第二金属阻挡层的上方。
2.根据权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，所述第一金属阻挡层在相邻像素间为连续图案，并且所述第一金属阻挡层在所述平坦层上的过孔处具有一开口。
3.根据权利要求2所述的光学传感器，其特征在于，所述第一金属阻挡层电性耦接至一共通电极。
4.根据权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，所述第一金属阻挡层在相邻像素间为离散图案，所述第一金属阻挡层对应于所述第二金属阻挡层无遮蔽的区域且在所述平坦层上的过孔处具有一开口。
5.根据权利要求4所述的光学传感器，其特征在于，所述第一金属阻挡层电性耦接至一共通电极或对应像素的源极。
6.根据权利要求2至5任意一项所述的光学传感器，其特征在于，所述平坦层上的过孔尺寸为制程允许的最小阈值。
7.根据权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，所述控制元件还包括：
一栅电极；
一栅极绝缘层，位于所述栅电极的上方；
一氧化物半导体层，位于所述栅极绝缘层的上方；以及
一源电极和一漏电极，对应于所述氧化物半导体层设置，其中，所述源电极与所述漏电极之间透过一蚀刻阻挡层作为沟道。
8.根据权利要求7所述的光学传感器，其特征在于，所述控制元件为薄膜晶体管，且所述氧化物半导体层为氧化铟镓锌材质。
9.根据权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，所述第二金属阻挡层为所述PIN层的下电极，且藉由一开口电性耦接至所述控制元件的漏电极。
10.根据权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，所述PIN层采用氢离子以等离子增强化学气相沉积方式制作而成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司，未经友达光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510678913.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光电导探测器
- 下一篇：一种GaN器件及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
