[发明专利]电子熔断器有效

专利信息
申请号: 201510679006.0 申请日: 2015-10-20
公开(公告)号: CN105529676B 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: M.巴德;G.凯泽 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H02H1/00 分类号: H02H1/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 周学斌;张涛
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 电子 熔断器
【权利要求书】:

1.一种用于控制开关元件的设备,包括:

- 所述开关元件,

- 集成传感器,布置为提供信号,以及

- 单独的电子熔断器,布置为:

- 从所述集成传感器接收所述信号;

- 基于所述信号以及基于至少一个熔断特性来确定熔断条件,以及

- 在满足所述熔断条件的情况下触发熔断事件。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述开关元件包括电子开关元件或机械开关元件。

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述电子熔断器被布置为在所述熔断条件没有被满足的情况下不触发所述熔断事件。

4.根据权利要求1所述的设备,其中所述集成传感器是所述开关元件的部分。

5.根据权利要求1所述的设备,其中所述开关元件和所述集成传感器被布置在单个芯片上。

6.根据权利要求1所述的设备,其中所述开关元件是竖向元件,所述竖向元件包括:

- 控制端子,

- 第一端子,以及

- 第二端子,

- 其中所述第一端子和第二端子经由应用到所述控制端子的信号而电耦合,以及

- 其中所述控制端子和所述第一端子被布置在所述竖向元件的一侧上以及所述第二端子被布置在所述竖向元件的对侧处。

7.根据权利要求1所述的设备,其中所述开关元件包括如下中的至少一个:

- 晶体管;

- MOSFET;

- IGBT;

- JFET;

- 二极管;

- 竖向元件;

- 受保护的FET;

- 高边开关元件;

- 低边开关元件;或

- 继电器。

8.根据权利要求1所述的设备,其中由所述集成传感器提供的信号是功率信号或基于功率的信号。

9.根据权利要求1所述的设备,其中所述电子熔断器包括至少一个实体,其中每个实体:

- 基于所述信号以及基于至少一个熔断特性来确定所述熔断条件,以及

- 在满足所述熔断条件的情况下触发所述熔断事件。

10.根据权利要求9所述的设备,其中所述实体是硬件实体或软件实体。

11.根据权利要求10所述的设备,其中所述软件实体利用热模型以及迭代地确定热负载并且将所述热负载与预定阈值相比较。

12.根据权利要求9所述的设备,其中所述实体被布置用于基于熔断特性来确定所述熔断条件。

13.根据权利要求12所述的设备,其中所述熔断特性由所述至少一个实体或在所述至少一个实体内被至少部分地模拟或建模。

14.根据权利要求9所述的设备,其中至少两个实体彼此监控。

15.根据权利要求9所述的设备,其中在至少一个实体触发了所述熔断事件的情况下,所述开关元件被关断。

16.根据权利要求1所述的设备,其中在信号达到或超过阈值的情况下,所述熔断条件被确定。

17.根据权利要求1所述的设备,其中所述熔断事件被传达到所述开关元件。

18.根据权利要求1所述的设备,其中所述熔断事件被传达到控制所述开关元件的处理逻辑。

19.根据权利要求1所述的设备,其中所述信号由所述开关元件外部的传感器来提供。

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