[发明专利]拼版蒸镀掩模、图案的制造方法及有机半导体元件的制作方法

权利要求书

1.一种拼版蒸镀掩模，其在框架内的开口空间配置多个掩模而构成，其特征在于，

在所述框架上安装有多张金属掩模，并且，在各个所述金属掩模上分别配置有多个树脂薄膜材料，所述金属掩模具有与所述框架内的开口空间的纵横方向的任一方向的尺寸对应的长度，且在另一方向具有比开口空间的尺寸短的长度，各个所述掩模具有：设有缝隙的所述金属掩模、位于所述金属掩模的各缝隙内，与要蒸镀制作的图案对应的形成于所述树脂薄膜材料的开口部，

各个所述缝隙与多个所述开口部重合。

2.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模，其特征在于，

所述缝隙的截面形状朝向蒸镀源方向扩展。

3.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模，其特征在于，

所述开口部的截面形状朝向蒸镀源方向扩展。

4.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模，其特征在于，

所述缝隙的截面形状朝向蒸镀源方向扩展，并且所述开口部的截面形状朝向蒸镀源方向扩展。

5.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模，其特征在于，

在从横截面观察以所述树脂薄膜材料为下、所述金属掩模为上的方式配置的所述掩模时，由将所述金属掩模的所述缝隙的下底前端与上底前端连接的直线、和所述金属掩模的下底的直线构成的角度为25°以上且65°以下。

6.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模，其特征在于，

在从横截面观察以所述树脂薄膜材料为下、所述金属掩模为上的方式配置的所述掩模时，由将所述树脂薄膜材料的所述开口部的下底前端与上底前端连接的直线、和所述树脂薄膜材料的下底的直线构成的角度为25°以上且65°以下。

7.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模，其特征在于，

在从横截面观察以所述树脂薄膜材料为下、所述金属掩模为上的方式配置的所述掩模时，由将所述金属掩模的所述缝隙的下底前端与上底前端连接的直线、和所述金属掩模的下底的直线构成的角度为25°以上且65°以下，并且由将所述树脂薄膜材料的所述开口部的下底前端与上底前端连接的直线、和所述树脂薄膜材料的下底的直线构成的角度为25°以上且65°以下。

8.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模，其特征在于，

所述树脂薄膜材料的热膨胀系数为16ppm/℃以下。

9.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模，其特征在于，

所述树脂薄膜材料的吸湿率为1.0％以下。

10.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模，其特征在于，

所述树脂薄膜材料的热膨胀系数为16ppm/℃以下且吸湿率为1.0％以下。

11.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模，其特征在于，

所述树脂薄膜材料的厚度为4μm以上且8μm以下。

12.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模，其特征在于，

所述要蒸镀制作的图案为300ppi以上。

13.如权利要求1所述的拼版蒸镀掩模，其特征在于，

所述框架具有将其开口空间划分成多个的梁部。

14.一种图案的制造方法，所述图案利用蒸镀制作，其特征在于，

使用上述权利要求1～13中任一项所述的拼版蒸镀掩模。

15.一种有机半导体元件的制作方法，其特征在于，

使用上述权利要求1～13中任一项所述的拼版蒸镀掩模。