[发明专利]自对准工艺制备的半导体功率器件以及更加可靠的电接触

权利要求书

1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括：

栅极沟槽，具有凹陷的栅极电极，位于半导体衬底的顶部，在栅极沟槽之间具有水平的半导体突起；

本体区位于水平的半导体突起顶部，本体区接触突起中间处的顶面；

源极区位于半导体突起的顶部，邻近栅极沟槽侧壁的顶部；

源极/本体硅化物，在半导体突起的顶面，接触源极区和本体区；以及

电介质插头，形成在凹陷的栅极电极上方；

还包括一个屏蔽电极，位于栅极电极下方，并且一个电极间电介质分开屏蔽电极和栅极电极，因此该器件为屏蔽栅极沟槽MOSFET；

还包括一个宽沟槽，在宽沟槽的底部具有一个屏蔽电极，在宽沟槽中间屏蔽电极上方具有一个电介质突起，顶部电极在所述的电介质突起的两边。

2.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括一个屏蔽电极接触，向下穿过电介质突起，接触屏蔽电极。

3.根据权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的屏蔽电极接触穿过电介质突起连接到源极金属上。

4.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的宽沟槽中最靠近器件有源区的顶部电极处于栅极电势。

5.根据权利要求4所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的宽沟槽还包括一个突起，所述的突起包括一个含有最靠近器件有源区的顶部电极的栅极总线。

6.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括一个屏蔽电极接触沟槽，在屏蔽电极接触沟槽中没有栅极电极，并且屏蔽电极的顶部不如它在栅极沟槽中高，所述的屏蔽电极接触沟槽还包括一个屏蔽电极接触，向下延伸接触屏蔽电极。

7.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括一个静电放电结构，所述的静电放电结构包括背对背源极-栅极二极管，由沟槽电极材料中交替的导电类型构成。

8.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括在某些半导体突起顶部形成的肖特基二极管，所述的肖特基二极管也具有沿半导体突起顶部形成的硅化物。

9.根据权利要求8所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的肖特基二极管在反向闭锁模式下具有结型势垒肖特基挟断效应以及金属氧化物半导体挟断效应。

10.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的源极/本体硅化物凹陷低于电介质插头的顶部。

11.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的源极区的宽度为0.05至0.2微米。

12.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括一个衬底，所述的衬底包括一个重掺杂的底层和一个较轻掺杂的顶层，其中宽沟槽触及重掺杂的底层，但栅极沟槽不触及重掺杂的底层。

13.一个具有宽沟槽的屏蔽栅极沟槽MOSFET，其特征在于，包含：

一个位于沟槽底部的屏蔽电极；

一个在屏蔽电极上方的宽沟槽中间的电介质突起；

在电介质突起两边的屏蔽电极上方的电极间电介质；以及

一个内部和一个外部顶部电极，分别位于电介质突起对边上的电极间电介质上方。

14.根据权利要求13所述的具有宽沟槽的屏蔽栅极沟槽MOSFET，其特征在于，还包括所形成的一个屏蔽接触，穿过电介质突起，以接触屏蔽电极。

15.根据权利要求14所述的具有宽沟槽的屏蔽栅极沟槽MOSFET，其特征在于，所述的屏蔽接触，穿过电介质突起，使屏蔽电极可以接触源极金属。