[发明专利]一种LED芯片结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201510679865.X | 申请日： | 2015-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106601876A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 张宇 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/20;H01L33/32 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种LED芯片结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：提供一蓝宝石衬底；
S2：采用激光从所述蓝宝石衬底背面照射并聚焦到所述蓝宝石衬底内部，在所述蓝宝石衬底内部形成气孔阵列；
S3：在所述蓝宝石衬底表面依次生长缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱发光层及P型氮化镓层；
S4：刻蚀所述P型氮化镓层及所述多量子阱发光层，形成凹陷区域，所述凹陷区域暴露出所述N型氮化镓层的部分表面；
S5：在所述P型氮化镓层表面制作P电极，在所述凹陷区域表面制作N电极，得到LED芯片结构。
2.根据权利要求1所述的LED芯片结构的制作方法，其特征在于：所述蓝宝石衬底为平片衬底或图形化衬底。
3.根据权利要求1所述的LED芯片结构的制作方法，其特征在于：所述激光波长为1064nm。
4.根据权利要求1所述的LED芯片结构的制作方法，其特征在于：所述气孔阵列中，图形周期为0.5～10μm。
5.根据权利要求1所述的LED芯片结构的制作方法，其特征在于：所述气孔的高度范围是0.5～5μm，宽度范围是0.1～3μm。
6.根据权利要求1所述的LED芯片结构的制作方法，其特征在于：所述气孔阵列包括一层气孔或多层气孔。
7.根据权利要求1所述的LED芯片结构的制作方法，其特征在于：所述气孔阵列与所述蓝宝石衬底上表面之间的距离范围是1～200μm。
8.根据权利要求1所述的LED芯片结构的制作方法，其特征在于：于所述步骤S3中，采用金属有机化合物化学气相沉积法或分子束外延法生长所述缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱发光层或P型氮化镓层。
9.一种LED芯片结构，其特征在于，包括：
蓝宝石衬底；所述蓝宝石衬底内部形成有气孔阵列；
依次形成于所述蓝宝石衬底表面的缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱发光层及P型氮化镓层；
贯穿所述P型氮化镓层及所述多量子阱发光层、并暴露出所述N型氮化镓层部分表面的凹陷区域；
形成于所述P型氮化镓层表面的P电极，形成于所述凹陷区域表面的N电极。
10.根据权利要求9所述的LED芯片结构，其特征在于：所述气孔阵列包括一层或多层气孔。
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