[发明专利]掩膜板及其制作方法、利用掩膜板构图的方法、滤光片

说明书

一种掩膜板及其制作方法、利用掩膜板构图的方法，该掩膜板包括图形区和非图形区；所述图形区中设置有互不重叠的第一图形部和第二图形部，所述第一图形部允许第一波长的光透过且不允许第二波长的光透过，所述第二图形部允许所述第二波长的光透过且不允许所述第一波长的光透过；所述非图形区允许所述第一波长的光和所述第二波长的光透过，或者所述非图形区不允许所述第一波长的光和所述第二波长的光中的任一个透过。该掩膜板可以将多张掩膜板结合为一张掩膜板。

技术领域

本发明的至少一个实施例涉及一种掩膜板及其制作方法和利用该掩模板构图的方法、滤光片。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)是显示领域中的一种主流产品。TFT-LCD的基本结构包括相对设置的阵列基板和对置基板，以及设置于二者之间的液晶层。通常，阵列基板上设置有呈矩阵排列的TFT，对置基板上设置有彩色滤光层，在这种情况下，对置基板也称为彩膜基板。

在TFT-LCD的阵列基板和彩膜基板的制作工艺中，都需要使用掩膜板(Mask)进行构图。例如，制作阵列基板的过程中，制作栅金属层(例如包括栅线和栅极)需要使用一张掩膜板，制作透明电极层(例如包括像素电极)需要使用另一张掩膜板。例如，制作彩膜基板上的彩色滤光层时需要使用多张掩膜板。

例如，使用掩膜板进行构图可以包括以下步骤：在薄膜上涂覆光刻胶；将掩膜板与薄膜对准；使用光源照射掩膜板，透过掩膜板的光线使薄膜上的光刻胶感光；之后经过显影和刻蚀，即可将薄膜制作成需要的图形。

光刻胶包括负性光刻胶和正性光刻胶。光照后形成不可溶物质的光刻胶是负性光刻胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的光刻胶为正性光刻胶。

通常，掩膜板是通过在塑料或玻璃等基板上形成各种图形区制成的，从而掩膜板包括图形区和非图形区。对于负性光刻胶，掩膜板的图形区允许光源发出的光透过，非图形区不允许光透过，从而该负性光刻胶的对应于掩膜板的图形区的部分被曝光并且显影过程中被保留下来，光刻胶的对应于非图形区的部分未被曝光并且显影过程中被去除掉。类似地，对于正性光刻胶，掩膜板的图形区不允许光源发出的光透过，非图形区允许光透过，从而光刻胶的对应于掩膜板的图形区的部分未被曝光并且在显影过程被保留下来，光刻胶的对应于非图形区的部分被曝光并且在显影过程中被去除掉。

发明内容

本发明的至少一个实施例提供了一种掩膜板及其制作方法、利用该掩膜板构图的方法、滤光片，以将多张掩膜板结合为一张掩膜板。

本发明的至少一个实施例提供了一种掩膜板，其包括图形区和非图形区；所述图形区中设置有互不重叠的第一图形部和第二图形部，所述第一图形部允许第一波长的光透过且不允许第二波长的光透过，所述第二图形部允许所述第二波长的光透过且不允许所述第一波长的光透过；所述非图形区允许所述第一波长的光和所述第二波长的光透过，或者所述非图形区不允许所述第一波长的光和所述第二波长的光中的任一个透过。

例如，所述非图形区是透明的，或者所述非图形区不透光。

例如，所述第一波长为10nm-450nm，所述第二波长为10nm-450nm，并且所述第一波长与所述第二波长不同或不重叠。

例如，所述第一图形部和所述第二图形部中的一个包括多个子图形，所述多个子图形排列成多行，每行所述子图形沿所述第一方向依次排列，所述多行子图形沿所述第二方向依次排列；所述第一图形部和所述第二图形部中的另一个包括多个线状结构，每个所述线状结构沿第一方向延伸，所述多个线状结构沿第二方向依次平行排列。