[发明专利]一种GPP芯片裂片方法在审
| 申请号： | 201510683250.4 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN105244268A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 袁正刚;许小兵;胡忠;孟繁新;郭丽萍;包祯美 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 贵阳派腾阳光知识产权代理事务所(普通合伙) 52110 | 代理人： | 管宝伟 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gpp 芯片 裂片 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种GPP芯片裂片方法，其特征在于：包括如下步骤：
①加工掩膜片：针对需要加工的GPP芯片硅片或钝化玻璃层(2)的形状，选取或加工出掩膜片(3)，硅片或钝化玻璃层(2)至少有部分边缘为弧线边缘，掩膜片(3)的形状和硅片或钝化玻璃层(2)的形状一致且掩膜片(3)的垂直投影完全覆盖硅片或钝化玻璃层(2)的垂直投影，掩膜片(3)内有盲孔，盲孔的形状、大小和硅片或钝化玻璃层(2)的形状、大小相同；
②盖装掩膜片：将掩膜片(3)覆盖在目标硅片或钝化玻璃层(2)上并压紧，使硅片或钝化玻璃层(2)置于掩膜片(3)内的盲孔中；
③吹砂裂片：对掩膜片(3)周边的GPP芯片(1)进行吹砂，使GPP芯片(1)于掩膜片(3)边缘处裂片；
④取下掩膜片：取下掩膜片(3)，完成裂片。
2.如权利要求1所述的GPP芯片裂片方法，其特征在于：所述步骤③中的吹砂，具体为高压喷吹金刚砂。
3.如权利要求1所述的GPP芯片裂片方法，其特征在于：所述硅片或钝化玻璃层(2)具体为圆形，GPP芯片为圆形GPP芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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