[发明专利]芯片的制造方法

权利要求书

1.一种芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、在复合衬底上生长有结构的半导体薄膜，得到结构I；所述复合衬底包括衬底、在衬底上生长的腐蚀层以及在腐蚀层上生长的保护层；

(2)、将半导体薄膜进行光刻，定义出芯片图形后刻蚀，刻蚀到腐蚀层，然后去掉光刻胶，清洗，分别形成反射欧姆接触层及反射欧姆接触层的阻挡保护层，得到结构II；

(3)、将结构II的阻挡保护层通过邦定压焊、电镀、或者两者混合的方式转移到导电衬底的粘结层上，得到结构III；所述导电衬底从上到下依次包括：接触层、硅基板、阻挡层、粘结层；

(4)、将结构III放入腐蚀液中腐蚀掉腐蚀层，得到结构V；

(5)、将结构V进行粗化，去边、钝化，得到钝化层，然后去掉要做电极地方的钝化层，做上N电极，最终得到成品。

2.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，步骤(1)中所述衬底为蓝宝石、碳化硅、硅、MgAl₂O₄、MgO、Hf、Zr、ZrN、Sc、ScN、NbN、TiN、体材料GaN、AlN衬底或由所述蓝宝石、碳化硅、硅、MgAl₂O₄、MgO、Hf、Zr、ZrN、Sc、ScN、NbN、TiN、体材料GaN、AlN制备成的图形衬底中的一种。

3.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，步骤(1)中所述腐蚀层为TiO₂、MgO、ZnO薄膜中的一种，其生长方法采用有机化学气相沉积生长，腐蚀层的厚度在0.5-500微米。

4.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，步骤(1)中所述保护层为SiC、GaN、AlN薄膜中的一种，厚度在0.1-2微米，其生长方法采用物理气相沉积法。

5.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，所述半导体薄膜为AlGaInN薄膜、或GaAs、InGaAs、InP、InSb薄膜中的一种，生长方法采用MOCVD或MBE方法。

6.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，所述粘结层为In、Sn、In与Sn的合金或AuSn合金；阻挡层为鎢、钛、铜、铬、铂、金，银，或其中两种或多种金属的合金或多层组合；所述硅基板为导电单晶硅或多晶硅片；所述接触层为Al、Au、Cr中的一种。

7.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，所述腐蚀液为盐酸、氢氟酸或碱性腐蚀液。

8.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，所述钝化层的原料为二氧化硅或硅胶，二氧化硅钝化层采用PECVD或溅射等方法制备；硅胶钝化层采用涂覆的方法制备；所述电极为N型AlGaInN的电极，其材料是Al、Ti、Cr、Au或者他们的组合。