[发明专利]IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量方法及测量系统在审
| 申请号： | 201510684821.6 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106610467A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽;高君宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 芯片 背面 pn 击穿 电压 测量方法 测量 系统 | ||
1.一种IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量方法，应用于IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量系统，其特征在于，所述测量系统包括第一电源和第二电源，其中，所述第一电源的正极连接至所述IGBT芯片的栅极，所述第一电源的负极连接至所述IGBT芯片的发射极，所述第二电源的正极连接至所述IGBT芯片的发射极，所述第二电源的负极连接至所述IGBT芯片的集电极，所述测量方法包括：
开启所述第一电源和第二电源，其中，所述第一电源提供第一预设电压，所述第二电源提供可调节的第二电压；
测量所述IGBT芯片的发射极和集电极之间的电流，且同时提升所述第二电压，待测量所述IGBT芯片的发射极和集电极之间的电流达到预设电流时，获取当前的所述第二电压为所述IGBT芯片背面PN结击穿电压。
2.根据权利要求1所述的IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量方法，其特征在于，测量所述IGBT芯片的发射极和集电极之间的电流包括：
采用万用表测量所述IGBT芯片的发射极和集电极之间的电流。
3.根据权利要求1所述的IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量方法，其特征在于，所述测量系统还包括：电流表，其中，采用所述电流表测量所述IGBT芯片的发射极和集电极之间的电流。
4.根据权利要求3所述的IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量方法，其特征在于，所述电流表连接至所述IGBT芯片的集电极与所述第二电源之间；或者，
所述电流表连接至所述IGBT芯片的发射极与所述第二电源之间。
5.根据权利要求1所述的IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量方法，其特征在于，所述第一预设电压为15V。
6.根据权利要求1所述的IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量方法，其特征在于，所述预设电流为1mA。
7.一种IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量系统，其特征在于，所述测量系统包括第一电源和第二电源，其中，所述第一电源的正极连接至所述IGBT芯片的栅极，所述第一电源的负极连接至所述IGBT芯片的发射极，所述第二电源的正极连接至所述IGBT芯片的发射极，所述第二电源的负极连接至所述IGBT芯片的集电极，所述第一电源提供第一预设电压，所述第二电源提供可调节的第二电压；
其中，在开启所述第一电源和第二电源后，测量所述IGBT芯片的发射极和集电极之间的电流，且同时提升所述第二电压，待测量所述IGBT芯片的发射极和集电极之间的电流达到预设电流时，获取当前的所述第二电压为所述IGBT芯片背面PN结击穿电压。
8.根据权利要求7所述的IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量系统，其特征在于，所述测量系统还包括：电流表，其中，采用所述电流表测量所述IGBT芯片的发射极和集电极之间的电流。
9.根据权利要求8所述的IGBT芯片背面PN结击穿电压的测量系统，其特征在于，所述电流表连接至所述IGBT芯片的集电极与所述第二电源之间；或者，
所述电流表连接至所述IGBT芯片的发射极与所述第二电源之间。
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