[发明专利]MEMS电容式湿度传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种MEMS电容式湿度传感器，其特征在于：包括衬底(1)、氧化层(2)、第一电容电极(3)、第二电容电极(4)和湿度敏感介质(5)，所述氧化层固设在所述衬底上，所述第一、二电容电极均设置在所述氧化层的上面，所述第一电容电极和第二电容电极上分别引出有第一压焊块(31)和第二压焊块(41)，所述湿度敏感介质设置在所述第一、二电容电极之间以及第一、二电容电极的上方和下方。

2.根据权利要求1所述的MEMS电容式湿度传感器，其特征在于：所述第一、二电容电极均呈梳齿状且相互交错排列。

3.根据权利要求2所述的MEMS电容式湿度传感器，其特征在于：所述第一、二电容电极上均设有狭缝(61)，所述狭缝下方的氧化层被腐蚀形成空气通道(6)，所述空气通道位于第一、二电容电极之间的湿度敏感介质的左下表面和右下表面之间。

4.根据权利要求3所述的MEMS电容式湿度传感器，其特征在于：所述第一、二电容电极位于所述湿度敏感介质和所述氧化层之间。

5.根据权利要求4所述的MEMS电容式湿度传感器，其特征在于：所述湿度敏感介质为聚酰亚胺。

6.根据权利要求5所述的MEMS电容式湿度传感器，其特征在于：所述第一、二电容电极为多晶硅电极或铝电极。

7.一种MEMS电容式湿度传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)在硅衬底上生长一层二氧化硅氧化层；

(2)在氧化层上沉积多晶硅，再光刻并刻蚀形成第一电容电极和第二电容电极以及第一压焊块和第二压焊块；

(3)在第一、二电容电极上旋涂一层光刻胶，光刻露出梳齿电容区域，利用氧化硅腐蚀液腐蚀掉第一电容电极和第二电容电极下方的部分氧化层；

(4)在第一、二电容电极上旋涂一层聚酰亚胺，使得第一、二电容电极之间以及第一、二电容电极上方和下方均填满聚酰亚胺；

(5)光刻聚酰亚胺，刻蚀形成湿度敏感区域图形以及电容电极上狭缝图形，进一步刻蚀下方的电容电极形成狭缝，然后再对聚酰亚胺进行亚胺化处理；

(6)旋涂一层光刻胶，光刻露出梳齿电容区域，利用氧化硅腐蚀液透过梳齿电容电极上的狭缝腐蚀掉狭缝下方的氧化层，形成每对梳齿状第一、二电容电极之间的聚酰亚胺的左下表面和右下表面与外界的空气通道，再利用乙酸乙酯去除光刻胶，清洗，干燥。