[发明专利]具有静电屏蔽结构的基板和面板及其制造方法

说明书

本发明实施例涉及具有静电屏蔽结构的基板和面板及其制造方法。根据本发明实施例的基板包括：绝缘基底；位于绝缘基底上的第一布线层；位于所述第一布线层上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的第二布线层；位于所述第二布线层上的第二绝缘层；以及位于所述第二绝缘层上的顶部布线层，其中，在所述基板周边，在所述第一绝缘层的沟槽中填充有由所述第二布线层的最外侧布线形成的第一静电屏蔽部，且在所述第二绝缘层的沟槽中填充有由所述顶部布线层的最外侧布线形成的第二静电屏蔽部，所述第一和第二静电屏蔽部相连而形成所述静电屏蔽结构。

技术领域

本发明实施例一般地涉及基板和面板技术领域，尤其涉及一种具有静电屏蔽结构的基板和面板及其制造方法。

背景技术

在半导体基板和面板领域中，静电是导致基板和面板工作实效降低的主要因素之一，静电的屏蔽和防护工作是基板和面板设计需要考虑的因素之一，抗静电能力也是基板和面板的主要性能和信赖性评价指标之一。

但是目前基板和面板的设计仍不能避免静电问题，抗静电能力低。举例而言，目前的TFT(薄膜晶体管)面板设计主要是在TFT基板周围设置与栅极同层的接地线，用于引导走静电。

以液晶面板中的TFT基板为例，如图1所示，常规TFT基板100包括：TFT玻璃基底1；位于玻璃基底1上的第一布线层2，其包括栅极布线、其他信号线、面板接地线等；位于第一布线层2上的第一绝缘层3；位于第一绝缘层3上的像素电极层4、半导体层8、以及包括源漏极布线与其他信号线的第二布线层5；位于像素电极层4、半导体层8以及第二布线层5上的第二绝缘层6；位于第二绝缘层6上的公共电极层(一般由ITO(铟锡氧化物)形成)。

在这样的常规TFT基板中，接地线12由第一布线层2中的最外侧布线形成，其沿TFT面板一周，与FPC(柔性印刷电路)连接。然而，虽然使用了接地线12，这种常规TFT基板的静电屏蔽效果仍不够理想。

发明内容

本发明实施例提供一种具有静电屏蔽结构的基板和面板及其制造方法，通过增加基板和面板周围的屏蔽设计，对基板和面板形成包覆屏蔽圈，可以有效屏蔽外界静电，提高基板和面板的抗静电能力。

根据本发明实施例的第一方面，提供一种具有静电屏蔽结构的基板，所述基板可包括：

绝缘基底；

位于绝缘基底上的第一布线层；

位于所述第一布线层上的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上的第二布线层；

位于所述第二布线层上的第二绝缘层；以及

位于所述第二绝缘层上的顶部布线层，

其中，在所述基板周边，在所述第一绝缘层的沟槽中填充有由所述第二布线层的最外侧布线形成的第一静电屏蔽部，且在所述第二绝缘层的沟槽中填充有由所述顶部布线层的最外侧布线形成的第二静电屏蔽部，所述第一和第二静电屏蔽部相连而形成所述静电屏蔽结构。

根据本发明的示例性实施例，所述绝缘基底可以为透明的。

根据本发明的示例性实施例，所述基板可以为薄膜晶体管基板。

根据本发明的示例性实施例，所述绝缘基底可以为不透明的。

根据本发明的示例性实施例，所述基板可以还包括由所述第一布线层的最外侧布线形成的接地线，所述接地线位于所述第一静电屏蔽部下方且与所述第一静电屏蔽部相连。

根据本发明的示例性实施例，在所述基板的至少一个拐角处，所述第一和第二静电屏蔽部可以使用圆倒角。