[发明专利]高压半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510685837.9 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN106611785B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 林志威;庄璧光;吴昭纬 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：
一半导体基底，其具有一第一导电型的一井区及位于该井区内的一隔离结构，其中该隔离结构两侧分别定义出一第一区及一第二区；
一第一栅极结构及一第二栅极结构，分别设置于该第一区及该第二区上；
一第一注入区及一第二注入区，分别位于该第一区及该第二区内且邻近于该隔离结构，其中该第一注入区及该第二注入区具有不同于该第一导电型的一第二导电型；以及
一反注入区，位于该隔离结构下方的该井区内且横向延伸于该第一注入区及该第二注入区下方，其中该反注入区具有该第一导电型，且具有一掺杂浓度大于该井区的一掺杂浓度。
2.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该反注入区具有二个相对的边缘，且所述边缘分别大体上对准于该第一注入区的一边缘与该第二注入区的一边缘。
3.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一导电型为P型，且该第二导电型为N型。
4.如权利要求3所述的高压半导体装置，其特征在于，该井区的该掺杂浓度为1.0×1016ions/cm3，而该反注入区的该掺杂浓度为5.0×1016ions/cm3。
5.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一导电型为N型，且该第二导电型为P型。
6.如权利要求5所述的高压半导体装置，其特征在于，该井区的该掺杂浓度为9.0×1015ions/cm3，而该反注入区的该掺杂浓度为6.0×1016ions/cm3。
7.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该隔离结构为沟槽隔离结构，且该沟槽隔离结构的深度大于4000埃，且不超过8000埃。
8.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，更包括一第三注入区及一第四注入区，具有该第二导电型且分别位于该第一注入区及该第二注入区内。
9.如权利要求8所述的高压半导体装置，其特征在于，该第三注入区及该第四注入区具有一掺杂浓度大于该第一注入区及该第二注入区的一掺杂浓度。
10.一种高压半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供一半导体基底，其具有一第一导电型的一井区及位于该井区内的一隔离结构，其中于该隔离结构两侧分别定义出一第一区及一第二区；
于该隔离结构下方的该井区内形成具有该第一导电型的一反注入区，其中该反注入区横向延伸于该第一区及该第二区内，且具有一掺杂浓度大于该井区的一掺杂浓度；
分别于该第一区及该第二区内的该反注入区上形成邻近于该隔离结构的一第一注入区及一第二注入区，其中该第一注入区及该第二注入区具有不同于该第一导电型的一第二导电型；以及
分别于该第一区及该第二区上形成一第一栅极结构及一第二栅极结构。
11.如权利要求10所述的高压半导体装置的制造方法，其特征在于，利用一注入掩膜形成该反注入区，且利用该注入掩膜同时形成该第一注入区与该第二注入区。
12.如权利要求10所述的高压半导体装置的制造方法，其特征在于，该反注入区具有二个相对的边缘，且所述边缘分别大体上对准于该第一注入区的一边缘与该第二注入区的一边缘。
13.如权利要求10所述的高压半导体装置的制造方法，其特征在于，该第一导电型为P型，且该第二导电型为N型。
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