[发明专利]提高钙钛矿型氧化物薄膜光电性能的方法

权利要求书

1.一种提高钙钛矿型氧化物薄膜光电性能的方法，其特征在于：首先在钙钛矿型氧化物薄膜中引入氧空位；再对所述钙钛矿型氧化物薄膜施加电场，使氧空位在所述钙钛矿型氧化物薄膜内沿电场方向迁移，在钙钛矿型氧化物薄膜内形成氧空位梯度。

2.根据权利要求1所述的提高钙钛矿型氧化物薄膜光电性能的方法，其特征在于：在钙钛矿型氧化物薄膜中引入氧空位后，将所述钙钛矿型氧化物薄膜升温，然后再对其施加电场。

3.根据权利要求1所述的提高钙钛矿型氧化物薄膜光电性能的方法，其特征在于：在所述钙钛矿型氧化物薄膜内形成氧空位梯度后降温，并在降温过程中持续施加电场，使所述氧空位梯度固定。

4.根据权利要求1、2或3所述的提高钙钛矿型氧化物薄膜光电性能的方法，其特征在于：在对所述钙钛矿型氧化物薄膜施加电场的同时对其施加磁场，使氧空位在沿电场方向迁移同时，向洛伦兹力方向偏移。

5.根据权利要求4所述的提高钙钛矿型氧化物薄膜光电性能的方法，其特征在于：所述钙钛矿型氧化物薄膜上设有两个电极，两个所述电极与同一个电源连接，两个所述电极之间形成电场。

6.根据权利要求5所述的提高钙钛矿型氧化物薄膜光电性能的方法，其特征在于：所述电源为脉冲电源。

7.根据权利要求1、2或3所述的提高钙钛矿型氧化物薄膜光电性能的方法，其特征在于：在钙钛矿型氧化物薄膜中引入氧空位的具体方式为：将所述钙钛矿型氧化物薄膜进行真空退火，从而在所述钙钛矿型氧化物薄膜中引入氧空位。