[发明专利]一种碳化硅表面氧化膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510685847.2 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN106611700B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 郑柳;杨霏;王方方;李玲;李永平;刘瑞;吴昊;钮应喜;张文婷;王嘉铭;桑玲 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司;国网安徽省电力公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 表面 氧化 制备 方法 | ||
1.一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：
1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；
2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氧等离子体处理；
3)高温下氢气预处理步骤2)所得样品(13)；
4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)；
所述碳化硅材料(10)为n型或p型的4H-SiC或6H-SiC，所述外延薄膜(12)的厚度为0.1μm-500μm，其掺杂浓度为1×1013-1×1021cm-3；
所述氧等离子体处理的处理功率为10-3～105W，气体流量为10-3～105sccm，处理时间为10-2～105min；
所述高温下氢气预处理的设备为箱式炉或管式炉；
所述高温下氢气预处理中对温度和流速的分布进行预定，所述温度和/或流速为恒定分布或可变分布；
所述可变分布为单阶梯或多阶梯分布；
所述温度分布梯度为30～2500℃，所述梯度上的维持时间为0.1～100000min，所述温度变化速率为0.1℃/min～2000℃/min；
所述流速为10-3sccm～105sccm。
2.根据权利要求1所述的碳化硅表面氧化膜的制备方法，其特征在于，所述清洗的方法为RCA标准清洗法。
3.根据权利要求1所述的碳化硅表面氧化膜的制备方法，其特征在于，所述氧化的方法为干氧、湿氧或N2O中高温氧化。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
