[发明专利]二次电池及二次电池的制造方法有效
| 申请号： | 201510685917.4 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN105552303B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 后藤准也;元吉真子;佐藤结香;川上贵洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/131 | 分类号： | H01M4/131;H01M4/134;H01M4/70;H01M10/0525;H01M10/058 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 张淑珍;王维玉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二次 电池 制造 方法 | ||
1.一种二次电池，所述二次电池包括：
负极；
正极；
电解液；以及
隔离体，
其中，所述负极包括负极集电体及负极活性物质层，
所述负极集电体包括第一表面及与该第一表面相对的第二表面，
所述负极活性物质层位于所述第一表面一侧，
所述负极活性物质层包括含硅化合物，
所述负极活性物质层包括第一凹部及第二凹部，
所述负极集电体包括所述第一表面上的第三凹部及第四凹部，
所述负极集电体包括所述第二表面上的第一凸部及第二凸部，
所述第一凹部、所述第三凹部以及所述第一凸部彼此重叠，并且
所述第二凹部、所述第四凹部以及所述第二凸部彼此重叠。
2.根据权利要求1所述的二次电池，其中在所述第一凹部的底部露出所述负极集电体。
3.根据权利要求1所述的二次电池，其中作为所述含硅化合物使用SiOy，0.95≤y≤1.05。
4.根据权利要求1所述的二次电池，所述负极还包括位于所述负极活性物质层的表面上的石墨烯。
5.根据权利要求1所述的二次电池，其中所述含硅化合物包括SiO粒子。
6.根据权利要求5所述的二次电池，其中在所述SiO粒子中分散有粒径为10μm以下的Si粒子。
7.一种负极，所述负极包括：
负极集电体；以及
负极活性物质层，
所述负极集电体包括第一表面及与该第一表面相对的第二表面，
所述负极活性物质层位于所述第一表面一侧，
其中，所述负极活性物质层包括含硅化合物，
所述负极活性物质层包括第一凹部及第二凹部，
所述负极集电体包括所述第一表面上的第三凹部及第四凹部，
所述负极集电体包括所述第二表面上的第一凸部及第二凸部，
所述第一凹部、所述第三凹部以及所述第一凸部彼此重叠，
所述第二凹部、所述第四凹部以及所述第二凸部彼此重叠，
在所述负极的俯视图中，所述第三凹部的长边及所述第四凹部的长边与所述负极集电体的短边平行，并且
所述第三凹部的长边长度及所述第四凹部的长边长度为所述负极集电体的短边长度的80％以上、100％以下。
8.根据权利要求7所述的负极，其中在所述第一凹部的底部露出所述负极集电体。
9.根据权利要求7所述的负极，其中作为所述含硅化合物使用SiOy，0.95≤y≤1.05。
10.根据权利要求7所述的负极，所述负极还包括位于所述负极活性物质层的表面上的石墨烯。
11.根据权利要求7所述的负极，其中所述含硅化合物包括SiO粒子。
12.根据权利要求11所述的负极，其中在所述SiO粒子中分散有粒径为10μm以下的Si粒子。
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