[发明专利]一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法有效
| 申请号： | 201510685998.8 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN106611705B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王方方;郑柳;杨霏;李玲;李永平;刘瑞;田亮;夏经华;王嘉铭 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司;国网安徽省电力公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/314;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 表面 界面 氧化 制备 方法 | ||
1.一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，所述方法包括：
1)清洗碳化硅外延衬底；
2)氧化步骤1)所述衬底；
3)于无氧的含磷环境中，退火处理步骤2)所述氧化的碳化硅样品；
所述含磷环境为载气携带含磷化合物；
所述载气为惰性气体N2或Ar；
所述载气流量为100～5000sccm；
所述载气的驻留时间为10s～20min；
所述退火处理的压强小于1atm；
所述退火处理的温度为800℃～2500℃；
所述退火处理为单阶梯或多阶梯升温，所述升温速率为0.1℃/min～2000℃/min，所述升温梯度为30℃～2500℃，所述梯度上的维持时间为0.1min～100000min。
2.根据权利要求1所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，其特征在于，所述外延衬底材料为n型或p型的4H-SiC或6H-SiC，其掺杂浓度为1×1013～1021cm-3，所述外延的厚度为0.1～500μm。
3.根据权利要求1所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，其特征在于，所述清洗的方法为RCA标准清洗法。
4.根据权利要求1所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，其特征在于，所述氧化的方法为干氧、湿氧或N2O中高温氧化。
5.根据权利要求1所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，其特征在于，所述含磷化合物为POCl3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
