[发明专利]化学湿制程方法有效
申请号: | 201510686782.3 | 申请日: | 2015-10-22 |
公开(公告)号: | CN105552162A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 王春雅;陈立凯;蓝受龙;陈家达 | 申请(专利权)人: | 亚智科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张秋越 |
地址: | 中国台湾桃*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 湿制程 方法 | ||
1.一种化学湿制程方法,其特征在于,包括:
提供一化学药液;
提供一基板,该基板具有一反应面以及相对于该反应面的一受热面,其中将该反应面接触该化学药液;以及
加热该受热面,借由热传导使该反应面温度升高并与该化学药液进行化学湿制程反应。
2.如权利要求1所述的化学湿制程方法,其特征在于,该加热步骤为以热辐射方式对该基板的该受热面加热。
3.如权利要求1所述的化学湿制程方法,其特征在于,该加热步骤为以相异的多个加热温度对该基板的该受热面加热。
4.如权利要求3所述的化学湿制程方法,其特征在于,该加热步骤运用多个加热单元对该基板的该受热面加热,各该加热单元提供相异的加热温度,且各该加热单元沿一输送方向排列。
5.如权利要求3所述的化学湿制程方法,其特征在于,该加热步骤运用至少一加热单元对该基板的该受热面加热,至少一该加热单元依据一温度曲线加热,且该温度曲线中包含各该加热温度。
6.如权利要求3所述的化学湿制程方法,其特征在于,各该加热温度包含一第一温度,该第一温度用以移除该反应面的氧化物,并钝化该反应面。
7.如权利要求3所述的化学湿制程方法,其特征在于,各该加热温度包含一第二温度,该第二温度用以将该化学药液中的金属离子与该基板的该受热面结合。
8.如权利要求3所述的化学湿制程方法,其特征在于,各该加热温度包含一第三温度,该第三温度用以形成PN接面。
9.如权利要求3所述的化学湿制程方法,其特征在于,各该加热温度包含一第四温度,该第四温度用以产生异质成核反应。
10.如权利要求3所述的化学湿制程方法,其特征在于,各该加热温度包含一第五温度,该第五温度用以产生同质成核反应。
11.如权利要求3所述的化学湿制程方法,其特征在于,各该加热温度包含一第六温度,该第六温度用以在该基板的该反应面形成一缓冲层。
12.如权利要求11所述的化学湿制程方法,其特征在于,该缓冲层可为硫化镉、硫化锌、氢氧化铟、硫化铟、硒化锌、氧化锌或二氧化锡。
13.如权利要求3所述的化学湿制程方法,其特征在于,该化学湿制程反应包含一成核反应,该成核反应可为同质成核反应或异质成核反应。
14.如权利要求1所述的化学湿制程方法,其特征在于,进一步包括一清洁冲洗步骤,该清洁冲洗步骤用以清洗已反应完成的该基板。
15.如权利要求1所述的化学湿制程方法,其特征在于,进一步包括一烘干步骤,该烘干步骤用以去除该基板所残留的水分。
16.如权利要求1所述的化学湿制程方法,其特征在于,该基板由一卷对卷输送装置或一板对板输送装置进行输送。
17.如权利要求1所述的化学湿制程方法,其特征在于,该基板可为单槽方式进行该化学湿制程反应。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亚智科技股份有限公司,未经亚智科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510686782.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的