[发明专利]一种半导体封装结构的制作方法在审
申请号: | 201510686880.7 | 申请日: | 2015-10-22 |
公开(公告)号: | CN105225972A | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
发明(设计)人: | 吴奇斌;吴靖宇;耿丛正;吴莹莹;吴涛;吕磊 | 申请(专利权)人: | 长电科技(滁州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人: | 唐纫兰;沈国安 |
地址: | 239000 安徽省滁州市经济*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 封装 结构 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体封装结构的制作方法。属于集成电路封装领域。
背景技术
随着电子产品的功能越来越齐全,对于半导体封装的尺寸要求越来越小,越来越薄,为了制作超薄的封装结构,一般的制作方式是首先提供基板,在基板的正面设置通过电镀或者蚀刻的方式形成所需的引脚图形,进行装片打线包封流程,然后对基板的背面进行整体蚀刻或者研磨,最后分割成单品,完成整个超薄封装。
现有的技术存在多个缺陷:
1、不能使用薄型的基板,因为薄型基板在封装过程中容易出现翘曲变形的情况,影响正常轨道传输与产品质量,所以必须使用具有一定厚度的基板,最后通过蚀刻或研磨的方式减薄基板得到尺寸较薄的封装结构;
2、现有技术中基板的作用仅仅在于增加强度或者利用部分基板作为线路层,多余的基板厚度都是需要蚀刻或者研磨掉的,不仅材料浪费,也增加了不必要的工艺;
3、如果利用研磨进行基板部分的去除,用力不匀的话可能会导致封装体的破裂,影响产品的良率。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足,提供一种半导体封装结构的制作方法,首先在一块透明板上刷一层粘性材料,该材料经过一种工艺处理即可消失,在粘性材料上面贴薄型金属板材,对薄型金属板材进行蚀刻形成线路,进行正常封装流程,再通过工艺处理,将透明板与产品脱离,最后进行电镀、切割,形成超薄封装产品。该制作方法,工艺简单,且不浪费材料,有效降低封装体厚度的同时还可以提高生产良率。
本发明的目的是这样实现的:一种半导体封装结构的制作方法,该方法主要包括以下步骤:
步骤一、取透明板
取一片厚度合适的透明板;
步骤二、透明板表面涂覆粘性材料
在步骤一的透明板表面刷一层粘性材料;
步骤三、贴金属板材
在步骤二的透明板涂敷粘性材料一面贴一块薄型的金属板材;
步骤四、金属板材贴膜、曝光显影蚀刻形成管脚
在步骤三的金属板材正面贴上可进行曝光显影的光阻膜,利用曝光显影设备将贴光阻膜作业的金属板材正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜,以露出金属板材正面后续需要进行蚀刻的区域图形,对金属板材正面完成曝光显影的区域进行化学蚀刻以形成管脚;
步骤五、电镀金属线路层
在步骤四形成的管脚表面电镀一层金属线路层,形成相应的基岛和引脚;
步骤六、装片
在步骤五形成的金属线路层正面植入芯片与电性焊接;
步骤七、塑封
在步骤六中的金属板材正面采用塑封料进行塑封;
步骤八、去除透明板
在透明板的背面进行曝光显影将粘性材料去除,使得透明板与金属板材脱离;
步骤九、金属板材背面电镀金属层
在步骤五形成的基岛和引脚背面电镀一层金属层;
步骤十、切割成品
对步骤九的半成品进行切割作业,使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来,制得半导体封装结构。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1、可以使用薄型的金属板材,直接制作超薄封装结构,且工艺简单,制程稳定。
2、避免了材料的浪费,透明板可以重复使用,节省了成本。
3、针对不同厚度的产品,只需要用相同的包封模具,通过修改透明板的厚度,即可以生产出不同厚度的封装产品,节省了更换包封模具的时间以及成本。
附图说明
图1—图10为本发明一种半导体封装结构的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
本发明提供一种半导体封装结构的制作方法,该方法主要包括以下步骤:
步骤一、取透明板
参见图1,取一片厚度合适的透明板,此板材使用的目的只是为降低金属板材厚度同时确保后续线路制作支撑强度的过渡性材料,此透明板可以选用钢化玻璃等强度较高且透明的板材。
步骤二、透明板表面涂覆粘性材料
参见图2,在步骤一的透明板表面刷一层粘性材料,该材料可以通过曝光显影去除,如曝光显影膜,涂覆粘性材料一方面为了后续贴上金属板材,另一方面便于透明板的脱离。
步骤三、贴金属板材
参见图3,取一块薄型的金属板材,将金属板材通过步骤二的粘性材料贴于透明板上,此板材的材质主要是以金属材料为主,而金属材料的材质可以是铜材﹑铁材﹑镀锌材﹑不锈钢材﹑铝材或可以达到导电功能的金属物质等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造