[发明专利]触控显示装置及其制备方法

权利要求书

1.一种触控显示装置，其特征在于，包括薄膜晶体管基板、液晶层、彩色滤光片基板、触控感应层及高阻层，所述触控感应层形成于所述薄膜晶体管基板表面，所述液晶层形成于所述彩色滤光片基板朝向所述薄膜晶体管基板的表面，所述高阻层形成于所述彩色滤光片基板远离所述薄膜晶体管基板的表面，所述触控感应层与所述高阻层电连接，所述高阻层的材料为氧化石墨和氧化锡的混合物。

2.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述触控感应层形成于所述薄膜晶体管基板朝向所述彩色滤光片基板的表面。

3.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述高阻层的材料为质量比为60～70：100的氧化石墨与氧化锡的混合物。

4.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述高阻层的厚度为12nm～25nm。

5.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述触控感应层的材料为ITO。

6.一种如权利要求1～5中任一项所述的触控显示装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供薄膜晶体管基板，在所述薄膜晶体管基板表面形成触控感应层；

提供彩色滤光片基板，在所述彩色滤光片基板远离所述薄膜晶体管基板的表面形成高阻层，所述高阻层的材料为氧化石墨和氧化锡的混合物；

在所述彩色滤光片基板朝向所述薄膜晶体管基板的表面形成液晶层，以及

将所述触控感应层与所述高阻层电连接，得到触控显示装置。

7.根据权利要求6所述的触控显示装置的制备方法，其特征在于，在所述彩色滤光片基板远离所述薄膜晶体管基板的表面形成高阻层的操作为：通过真空磁控溅射的方式将靶材溅射至所述彩色滤光片基板远离所述薄膜晶体管基板的表面，所述靶材为氧化石墨和氧化锡的混合物，镀膜室的真空度为2.5×10^-1Pa～3.5×10^-2Pa，所述彩色滤光片基板的表面温度为80℃～100℃，所述彩色滤光片基板的加热时间为1390s～1410s，混合气体流量为1265sccm²～1419sccm²，电压380V～480V，无氧电压680V～760V，过氧电压300V～330V，功率为6300W～7500W，靶溅距为40mm。

8.根据权利要求7所述的触控显示装置的制备方法，其特征在于，所述混合气体为氧气和氩气的混合气体，其中，所述氧气流量为35sccm²～39sccm²，所述氩气流量为1230sccm²～1380sccm²。

9.根据权利要求6所述的触控显示装置的制备方法，其特征在于，所述靶材为质量比为60～70：100的氧化石墨与氧化锡的混合物。

10.根据权利要求6所述的触控显示装置的制备方法，其特征在于，在所述彩色滤光片基板远离所述薄膜晶体管基板的表面形成高阻层之前，包括将所述彩色滤光片基板依次进行清洗处理、干燥处理及静电消散处理，所述清洗处理的操作包括依次进行纯水清洗、碱液清洗、二流体喷淋清洗、超纯水喷淋清洗及高压喷淋清洗，所述干燥处理包括依次进行冷风干燥和热风干燥。