[发明专利]采用石墨烯进行电极搭桥的面发射激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种采用石墨烯进行电极搭桥的面发射激光器，其特征在于所述激光器的出光端面上分布有石墨烯桥接层，所述石墨烯桥接层连续覆盖出光端面电极、隔离槽和出光端面外接电极，且所述石墨烯桥接层还与出光端面电极以及出光端面外接电极电性接触而共同形成所述激光器的上表面电极。

2.根据权利要求1所述的面发射激光器，其特征在于包括沿设定方向依次设置的下表面电极、外延结构层和上表面电极，所述激光器的出光端面上分布有隔离槽，所述隔离槽环绕设置于所述出光端面电极周围，从而将出光端面电极与出光端面外接电极隔离。

3.根据权利要求2所述的面发射激光器，其特征在于包括沿设定方向依次设置的下表面电极、衬底、下DBR层、下限制层、有源区、上限制层、氧化限制层、上DBR层、接触层和上表面电极。

4.根据权利要求2-3中任一项所述的面发射激光器，其特征在于所述激光器的出光端面上除出光端面电极、出光孔以及隔离槽区域外均分布有绝缘层。

5.根据权利要求1所述的面发射激光器，其特征在于所述石墨烯桥接层包括石墨烯薄膜。

6.一种采用石墨烯进行电极搭桥的面发射激光器的制备方法，其特征在于包括：提供面发射激光器外延片，并在所述外延片的出光面上设置出光端面电极、隔离槽和出光端面外接电极、下表面电极和石墨烯桥接层，且使所述石墨烯桥接层连续覆盖出光端面电极、隔离槽和出光端面外接电极，并使所述石墨烯桥接层与出光端面电极以及出光端面外接电极电性接触而共同形成所述激光器的上表面电极，从而制得所述激光器。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于还包括：在所述激光器的出光端面上除出光端面电极、出光孔以及隔离槽区域外设置绝缘层。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于包括：通过在所述激光器的出光面上直接生长石墨烯薄膜而形成石墨烯桥接层；或者，通过将石墨烯薄膜转移并固定在所述激光器的出光面上而形成石墨烯桥接层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于包括：通过湿法转移或CVD方法制备形成所述的石墨烯桥接层。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于包括：于衬底上依次设置下DBR层、下限制层、有源区、上限制层、氧化限制层、上DBR层和接触层而形成所述面发射激光器外延片。