[发明专利]用于采用了NAND FLASH的电力采集终端的纠错方法

说明书

本发明公开了用于采用了NAND FLASH的电力采集终端的纠错方法，确立采用BCH CODE算法实现数据纠错；在BCH CODE算法中，确立最小纠错单元固定为512字节，纠错位数固定为4位；利用最小纠错单元固定为512字节，纠错位数固定为4位这一规则，生成一张用于纠错位翻转的索引表；将索引表存储在电力采集终端的所需的代码的存储区ROM中；电力采集终端上的应用程序对Nand Flash进行读取数据操作，出现1或者2或者3或者4位位翻转，BCH CODE算法利用步骤四中存储在存储区ROM中的索引表，通过BCH算法实现数据纠正。本发明的优点是在断电后又能够调用备用电源实现卫生间的灯正常照明。

技术领域

本发明涉及用于采用了NAND FLASH的电力采集终端的纠错方法。

背景技术

目前市面上的电力采集终端通常使用NAND FLASH作为存储设备，NAND FLASH存在两种架构方式，分别是SLC架构以及MLC架构，SLC架构的特点是成本高、容量小、读写速度快；MLC架构的特点是容量大、成本低，但是读写速度相对偏慢，此类存储器，由于工艺问题，最小写入单元（通常情况下为512字节）会产生1个或多个位变位，其中，SLC工艺容量相对小，通常512字节只会产生1位位翻转；MLC工艺容量大，通常512字节容易产生4位位翻转。现有市面上的电力采集终端大多数采用1Gbit SLC架构的 NAND FLASH，相对来说SLC架构的NAND FLASH出错概率比较低，所采用的纠错算法只需纠错1位，因此使用一个纠错能力不强的Hanming纠错码就可以了，其占用资源较小。

随着大数据时代的到来，电力采集系统逐步升级，电力采集终端所需要的存储芯片的容量要求越来越大。电力采集终端需要升级到2GbitNAND FLASH，若升级到2Gbit NANDFLASH，会带来以下技术难度、风险：升级到2Gbit NAND FLASH，需要采用4位纠错算法（针对4位位翻转现象），其中4位纠错算法，一般采用的是BCH 纠错算法，但是由于BCH 纠错算法在动态运行时由输入参数决定纠错基本单元字节数、纠错位数，能够针对纠错位数分别为4位，8位，16位，纠错位数为4位是指能够纠错1、2、3和4位位翻转的情况，由于参数可变，构建索引表会占用较大的内存，针对512字节4位纠错时，至少需要70k RAM，在内存较小的嵌入式平台运行代价太大，然而现有电力采集终端存在大内存（arm+linnux平台，外扩数十兆内存）、小内存（cortex M3/M4平台，无外扩RAM）两种。上述该纠错算法无法在小内存平台、无外扩内存平台运行。必须提高其内存容量，才能运行BCH 纠错算法，最终才能升级到2GbitMLC NAND FLASH，但是这样子一来提高了电力采集终端的生产成本。

发明内容

本发明要解决的技术问题是，提供一种占用电力采集终端系统RAM内存较小，运行速度快的用于采用了NAND FLASH的电力采集终端的纠错方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案为：用于采用了MLC 型的NANDFLASH的电力采集终端的纠错方法，步骤一：确立采用BCH CODE算法实现数据纠错；

步骤二：在BCH CODE算法中，确立最小纠错单元固定为512字节，纠错位数固定为4位；

步骤三：利用最小纠错单元固定为512字节，纠错位数固定为4位这一规则，生成一张用于纠错位翻转的索引表；

步骤四：将索引表存储在电力采集终端的所需的代码的存储区ROM中；

步骤五：当电力采集终端上的应用程序向Nand Flash写入数据操作，BCH算法通过写入的数据和该索引表计算生成ECC校验，其中，按照每写入512字节的数据生成7字节ECC校验码这一规则生成；