[发明专利]一种蓝宝石压力敏感芯片的直接键合方法有效

专利信息
申请号: 201510689597.X 申请日: 2015-10-21
公开(公告)号: CN105236350A 公开(公告)日: 2016-01-13
发明(设计)人: 王伟;王世宁;吴亚林;史鑫;曹永海;桂永雷;张鹏 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 侯静
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 蓝宝石 压力 敏感 芯片 直接 方法
【权利要求书】:

1.一种蓝宝石压力敏感芯片的直接键合方法,其特征在于是按下列步骤实现:

一、将蓝宝石晶片B(3-2)刻蚀出凹腔,然后采用机械切割或激光切割对蓝宝石晶片B(3-2)进行预划片,得到刻蚀的蓝宝石晶片B(3-2);

二、将蓝宝石晶片A(3-1)和刻蚀的蓝宝石晶片B(3-2)依次经过RCA清洗和去离子水超声清洗,然后经浓磷酸溶液腐蚀处理后置于浓度为0.5~1mol/L稀硫酸中形成羟基层,用去离子水冲洗后得到亲水预处理后的蓝宝石晶片A(3-1)和蓝宝石晶片B(3-2);

三、将亲水预处理后的蓝宝石晶片A(3-1)和蓝宝石晶片B(3-2)对准叠放,放入键合机中进行预键合,得到预键合的蓝宝石晶片(3);

四、把预键合的蓝宝石晶片(3)置于高温夹具中固定,然后放置在直接键合装置的真空室中,在真空室的内壁上设置有辐射屏(1),在真空室底板的上表面设置有加热台(2),装夹有预键合的蓝宝石晶片(3)的高温夹具置于加热台(2)上,在1150~1350℃的温度下持续加热40~60小时进行高温键合,得到键合后的蓝宝石晶片(3);

五、将步骤四得到的键合后的蓝宝石晶片(3)再放入直接键合装置中以1150~1250℃的温度进行退火处理,得到退火后的蓝宝石晶片(3);

六、按照步骤一预划片的图形将退火后的蓝宝石晶片(3)切割成芯片,在蓝宝石芯片A(7-1)与蓝宝石芯片B(7-2)之间形成真空腔(8),得到蓝宝石压力敏感芯片(7)。

2.根据权利要求1所述的一种蓝宝石压力敏感芯片的直接键合方法,其特征在于步骤一预划切割的图形为轴对称图形或中心对称图形。

3.根据权利要求2所述的一种蓝宝石压力敏感芯片的直接键合方法,其特征在于步骤一预划切割的图形为圆形、椭圆形、正方形或矩形。

4.根据权利要求1所述的一种蓝宝石压力敏感芯片的直接键合方法,其特征在于步骤一采用干法或湿法刻蚀出凹腔。

5.根据权利要求1所述的一种蓝宝石压力敏感芯片的直接键合方法,其特征在于步骤一所述的凹腔的深度为1μm~300μm之间,凹腔的直径为1mm~10mm之间。

6.根据权利要求1所述的一种蓝宝石压力敏感芯片的直接键合方法,其特征在于步骤四所述的高温夹具由刚玉圆盘(4)、刚玉圆筒(5)和氧化锆圆盘(6)组成,在刚玉圆盘(4)的上表面设置有刚玉圆筒(5),预键合的蓝宝石晶片(3)放置在刚玉圆筒(5)中,在预键合的蓝宝石晶片(3)的上表面盖有多个氧化锆圆盘(6)。

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