[发明专利]高通量组合材料芯片前驱体沉积设备及其沉积方法

权利要求书

1.一种高通量组合材料芯片前驱体沉积设备，其特征在于包括：

靶材架(1)，所述靶材架(1)的正面上具有多个能够安装靶材(2)的安装位；

靶材(2)，包括至少一个，安装在所述靶材架(1)的安装位上；

永磁体组(11)，设置在所述靶材架(1)内，所述永磁体组(11)内具有多个永磁体，多个所述永磁体对应于所述安装位安装在所述靶材(2)的背面，以调整靶材(2)上的刻蚀区长度和刻蚀区形状；

基片(3)，与所述靶材(2)相对设置，用于沉积材料；

掩模(4)，能覆盖在所述基片(3)上；

放置台(5)，用于放置基片(3)；

驱动装置，用于驱动所述放置台(5)进行转动和移动。

2.根据权利要求1所述的高通量组合材料芯片前驱体沉积设备，其特征在于：还包括有用于更换所述掩模(4)的掩模更换装置(41)。

3.根据权利要求1所述的高通量组合材料芯片前驱体沉积设备，其特征在于：还包括用于隔离靶材(2)的隔离板(6)和用于调节材料沉积速度的调节机构；所述隔离板(6)连接在所述靶材架(1)上并设置在两个相邻的安装位之间。

4.根据权利要求3所述的高通量组合材料芯片前驱体沉积设备，其特征在于：

所述调节机构包括能够调节材料沉积速率的出射狭缝装置(7)和/或能够调节材料沉积范围的遮板(8)；

所述狭缝装置(7)覆盖设置在所述靶材(2)的正面上，所述狭缝装置(7)上具有一宽度可调的狭缝(71)；

所述遮板(8)设置在所述靶材(2)正面的一侧。

5.根据权利要求1所述的高通量组合材料芯片前驱体沉积设备，其特征在于：所述驱动装置包括用于驱动所述放置台(5)旋转的旋转机构(91)以及用于带动放置台(5)和旋转机构(91)进行二维平面移动的传动机构(92)；

所述旋转机构(91)设置在所述放置台(5)下方，所述传动机构(92)设置所述旋转机构(91)下方。

6.根据权利要求1所述的高通量组合材料芯片前驱体沉积设备，其特征在于：所述靶材架(1)上的多个安装位呈阵列分布。

7.一种应用如权利要求1～6任一权利要求所述的高通量组合材料芯片前驱体沉积设备的沉积方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一、根据需要，将作为沉积原料的至少一种单质靶材(2)安装在靶材架(1)上设定的安装位上，将基片(3)放置在放置台(5)上；

步骤二、打开靶材(2)溅射电源，将靶材(2)调节至正常启辉状态；

步骤三、按照不同组分材料的分布要求，将所需掩模(4)按照要求覆盖在基片(3)的上方；然后利用驱动装置驱动放置台(5)运动，从而带动基片(3)依次移动经过各个靶材(2)的下方，利用磁控溅射的制备工艺完成基片(3)上不同组分材料的分布沉积；

步骤四、然后使用驱动装置驱动基片(3)至初始位置，并根据需要调整掩模(4)在基片(3)上方的位置；

步骤五、返回步骤三，直至基片(3)上各种材料的沉积薄膜总厚度达到设定厚度，从而形成高通量组合材料芯片前驱体。