[发明专利]一种用于提高单离子束辐照通量的微流控芯片系统

权利要求书

1.一种用于提高单离子束辐照通量的微流控芯片系统，包括培养基储液池和微通道，其特征在于：所述微通道与所述培养基储液池通过U形连接，所述微通道只允许单个细胞排队式前行，所述微通道两侧安装实时检测细胞电极对，其前方设置辐射点，所述辐射点厚度不超过5μm，所述实时检测细胞电极对通过差分信号技术检测通道内微流体阻抗变化，可以快速识别细胞通过与否，细胞识别信号接入单离子束装置的束控系统，使得细胞通过所述辐照点时，所述束控系统能控制离子及时准确地辐照至细胞。

2.根据权利要求1所述的用于提高单离子束辐照通量的微流控芯片系统，其特征在于：所述辐射点位置采用5微米Mylar薄膜压制而成。

3.一种权利要求1或2所述用于提高单离子束辐照通量的微流控芯片系统的使用方法，其特征在于包括下列步骤：

(1)将微流控芯片系统置于单离子束辐照装置的束流辐照出口上方；

(2)驱动泵驱动细胞培养基悬浮液进入微通道前行；

(3)细胞流经实时检测电极点时被识别，束控系统计算细胞到达辐照点的时间，由此确定开通束流的时刻，使离子及时而准确地辐照至细胞；

(4)被辐照后的细胞经切换阀导向细胞池或在线检测分析系统，以进行不同的目标实验。

4.根据权利要求3所述的用于提高单离子束辐照通量的微流控芯片系统的使用方法，其特征在于：所述细胞在运动状态或静止状态下进行辐照。