[发明专利]用于制造半导体芯片和金属层间的材料配合的连接的方法有效

申请号：	201510690155.7	申请日：	2015-10-22
公开（公告）号：	CN105632954B	公开（公告）日：	2018-07-13
发明（设计）人：	N·霍伊克;F·奥托;C·施泰宁格	申请（专利权）人：	英飞凌科技股份有限公司
主分类号：	H01L21/603	分类号：	H01L21/603
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	郑立柱
地址：	德国诺伊***	国省代码：	德国;DE
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	半导体芯片金属层连接剂材料配合烧结金属粉持续时间期间金属化层烧结过程声学信号温度区域芯片装配压力区域最小压力耦合到部段制造挤压延伸
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种用于制造半导体芯片(1)和金属层(21)之间的材料配合的连接的方法，具有步骤：

提供半导体芯片(1)；

提供金属层(21)，所述金属层具有芯片装配部段(21c)；

将包含金属粉的连接剂(3)提供到载体(30)上；

借助于装配工具(6)接收所述半导体芯片(1)并且通过所述装配工具(6)将所述半导体芯片放置在处在所述载体(30)上的所述连接剂(3)上，以使得所述连接剂(3)粘附在所述半导体芯片(1)处；以及

通过所述装配工具(6)将所述半导体芯片连同粘附在所述半导体芯片上的所述连接剂(3)一起从所述载体(30)揭下并且将所述半导体芯片连同粘附在所述半导体芯片上的所述连接剂(3)一起放在所述芯片装配部段(21c)上，以使得所述连接剂(3)布置在所述半导体芯片(1)和所述芯片装配部段(21c)之间，并且连续地从所述半导体芯片(1)延伸直到所述芯片装配部段(21c)；以及

在烧结过程中烧结所述金属粉，其中，在预定的烧结持续时间期间不间断地满足，

-所述连接剂(3)布置在所述半导体芯片(1)和所述金属层(21)之间并且连续地从所述半导体芯片(1)延伸直到金属层(21)，

-所述半导体芯片(1)和所述金属层(21)在处在高于最小压力的压力区域中相互挤压，

-所述连接剂(3)保持在处在高于最小温度的温度区域中，并且

-声学信号(S_US)耦合到所述连接剂(3)中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述最小压力为0.1MPa。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述最小温度为100℃。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述半导体芯片(1)和所述金属层(21)在所述烧结持续时间期间通过所述装配工具(6)相互挤压。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在将所述半导体芯片(1)放置在所述芯片装配部段(21c)上之前将所述连接剂(3)涂敷在所述芯片装配部段(21c)上；并且

之后将所述半导体芯片(1)放置在涂敷在所述芯片装配部段(21c)上的所述连接剂(3)上。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述装配工具(6)在所述烧结持续时间期间完全地覆盖所述半导体芯片(1)。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述声学信号(S_US)或者所述声学信号(S_US)的分信号经由所述装配工具(6)耦合到所述连接剂(3)。