[发明专利]扩展ATE测试仪电压量测范围的方法在审
申请号: | 201510690562.8 | 申请日: | 2015-10-22 |
公开(公告)号: | CN105301392A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 索鑫 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扩展 ate 测试仪 电压 范围 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体测试领域,更具体地说,本发明涉及一种扩展ATE(automatictestequipment)测试仪电压量测范围的方法。
背景技术
ATE测试仪是一种通过计算机控制进行器件、电路板和子系统等测试的设备。其中,ATE测试仪可以通过计算机编程取代人工劳动,自动化的完成测试序列。
随着90nm的闪存存储器及电子设备的发展,基于绝缘性能优异的氮化硅的SONOS(Polysilicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon,硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅)的存储器新产品在测试时,向测试方导入的越来越多的产品需要进行负电压测试(例如,小于-5V)。
而另一方面,现有的很多测试仪的电压量测范围有限,如Kalos支持的范围是-1V~13.5V,无法满足测试要求。
由此,需要一种能够扩展ATE测试仪电压量测范围的方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷,提供一种能够扩展ATE测试仪电压量测范围的方法。
为了实现上述技术目的,根据本发明,提供了一种扩展ATE测试仪电压量测范围的方法,包括:
第一步骤:判断待测试的电压的范围;
第二步骤:在待测试的电压的范围大于第一阈值电压且小于第二阈值电压时,将ATE测试仪的输入端口切换成直接连接模拟测试管脚,并且执行ATE测试;
第三步骤:在待测试的电压的范围小于第一阈值电压或者大于第二阈值电压时,将ATE测试仪的输入端口切换到电阻的一端,其中电阻的另一端连接模拟测试管脚,并且通过施加电压测量流经电阻的电流。
优选地,在执行第三步骤之后,根据电阻的电阻值以及流经电阻的电流值计算出模拟测试管脚上的电压。
优选地,根据电阻的电阻值以及流经电阻的电流值的乘积来计算模拟测试管脚上的电压。
优选地,施加电压的电压值是0V。
优选地,电阻的电阻值介于10KOhm至1000KOhm的范围内。
优选地,电阻的电阻值是100KOhm(电阻值需结合模拟测试管脚电流输出能力适当选择)。
优选地,利用继电器对ATE测试仪的输入端口进行切换。
优选地,第一阈值为0V(此处仅仅是一个参考,不同测试仪的量测范围不同视具体而定)。
优选地,第二阈值电压为13.5V(此处仅仅是一个参考,不同测试仪的量测范围不同视具体而定)。
根据本发明的扩展ATE测试仪电压量测范围的方法有效地扩大了测试仪电压量测范围,解决了一般测试仪不能量测负压的问题;而且根据本发明的扩展ATE测试仪电压量测范围的方法对常规电压测量和电流测量用的一般方法没有影响。
附图说明
结合附图,并通过参考下面的详细描述,将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征,其中:
图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的扩展ATE测试仪电压量测范围的方法的示意图。
图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的扩展ATE测试仪电压量测范围的方法的流程图。
需要说明的是,附图用于说明本发明,而非限制本发明。注意,表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且,附图中,相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂,下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的扩展ATE测试仪电压量测范围的方法的示意图,图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的扩展ATE测试仪电压量测范围的方法的流程图。
如图1和图2所示,根据本发明优选实施例的扩展ATE测试仪电压量测范围的方法包括:
第一步骤S1:判断待测试的电压的范围;
第二步骤S2:在待测试的电压的范围大于第一阈值电压(例如,第一阈值为0V)且小于第二阈值电压(例如,第二阈值为13.5V)时,即在测试电流或常规低电压时,利用继电器(或者其他切换元件)将ATE测试仪的输入端口10切换成直接连接模拟测试管脚20;此时可以使用测试仪的常规方法测试。
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