[发明专利]高压发光二极管透明导电层的制造方法在审
| 申请号： | 201510690723.3 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN105226075A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 闫晓密;黄慧诗;张秀敏 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;刘海 |
| 地址： | 214192 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 发光二极管 透明 导电 制造 方法 | ||
1.一种高压发光二极管透明导电层的制造方法，其特征是，包括以下步骤：
步骤1：采用GaN基LED外延片生长形成自下而上分布的衬底（1）、缓冲层（2）、U-GaN层（3）、N-GaN层（4）、多量子肼（5）和P-GaN层（6）；
步骤2：生长完成的LED外延片清洗干净，采用化学气相沉积法制备二维石墨烯，将二维石墨烯转移到LED外延片的P-GaN层（6）表面、并与P-GaN层（6）电学接触，得到透明导电层（7）；
步骤3：在外延片表面涂覆光刻胶，光刻进行图形化，采用物理刻蚀使得N-GaN层（4）暴露出来，最后清除光刻胶；
步骤4：沉积掩膜层SiO2，光刻图形做出SiO2绝缘层（10）；
步骤5：采用电子束蒸发金属Au，光刻图形做出P电极（8）、N电极（9）和桥接结构（11）。
2.一种采用权利要求1所述的制造方法得到的高压发光二极管，其特征是：包括衬底（1），衬底（1）上设置多个发光单元，发光单元包括在衬底（1）上自下而上依设置的缓冲层（2）、U-GaN层（3）、N-GaN层（4）、多量子肼（5）、P-GaN层（6）和透明导电层（7），透明导电层（7）采用石墨烯透明导电层，在透明导电层（7）上表面设置P电极（8），N-GaN层（4）上表面设置N电极（9）；所述相邻的发光单元之间由沟槽相隔离，在沟槽表面设置SiO2绝缘层（10），在SiO2绝缘层（10）表面设置桥接结构（11），桥接结构（11）连接相邻发光单元的N电极（9）和P电极（8）。
3.如权利要求2所述的高压发光二极管，其特征是：所述衬底（1）采用蓝宝石衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
