[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底以及形成在所述基底上方的像素电极图形和公共电极图形；所述像素电极图形和所述公共电极图形位于不同层；所述像素电极图形包括多个条状的像素电极；所述公共电极图形包括多个条状的公共电极；

每两个相邻像素电极中有一个像素电极在基底上的投影位于相邻两个公共电极之间，另一个像素电极在基底上的投影位于公共电极在基底上的投影内。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极图形中的各个像素电极的宽度相等，且各个像素电极间的像素电极间隔的宽度也相等；所述公共电极图形中的各个公共电极的宽度相等，且各个公共电极间的公共电极间隔的宽度也相等。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极的宽度与所述公共电极间隔的宽度的和为所述像素电极的宽度与所述像素电极间隔的宽度的和的两倍。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述另一个像素电极在基底上的投影的中心线与对应的公共电极在基底上的投影的中心线重合。

5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极的宽度和所述公共电极间隔的宽度相等。

6.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极的宽度为2.6±0.1um，所述像素电极间隔的宽度为5.4±0.1um。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极的宽度为8-10um。

8.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：

在基底上方形成像素电极图形和公共电极图形；所形成的像素电极图形和所形成的公共电极图形位于不同层；所形成的像素电极图形包括多个条状的像素电极，所形成的公共电极图形包括多个条状的公共电极；

每两个相邻像素电极中有一个像素电极在基底上的投影位于相邻两个公共电极之间，另一个像素电极在基底上的投影位于公共电极在基底上的投影内。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所形成的像素电极图形中的各个像素电极的宽度相等，且各个像素电极间的像素电极间隔的宽度也相等；所形成的公共电极图形中的各个公共电极的宽度相等，且各个公共电极间的公共电极间隔的宽度也相等。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述公共电极的宽度与所述公共电极间隔的宽度的和为所述像素电极的宽度与所述像素电极间隔的宽度的和的两倍。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述另一个像素电极在基底上的投影的中心线与对应的公共电极在基底上的投影的中心线重合。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述像素电极的宽度为2.6±0.1um，所述像素电极间隔的宽度为5.4±0.1um。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。