[发明专利]单晶体的制造方法和制造装置

权利要求书

1.一种利用悬浮区熔法的单晶体的制造方法，其特征在于，具有：

熔接工序，使晶种与原料的熔化后的顶端部熔接；

锥形部培养工序，一边使在所述晶种的上方生长的单晶体的晶体直径增加一边使所述单晶体生长；以及

直筒部培养工序，在将所述晶体直径保持为固定的状态下使所述单晶体生长，

所述锥形部培养工序包含：

分别测定当前的原料直径和晶体直径的步骤；

参照将单晶体生长单位长度时的晶体直径的目标增加量即直径差与增加前的晶体直径关联起来记录的直径差分布来求取与所述当前的晶体直径对应的直径差的步骤；

求取对所述当前的晶体直径加上所述直径差后的目标晶体直径的步骤；以及

计算对所述目标晶体直径与所述当前的原料直径的比的平方乘以当前的晶体传送速度而得到的目标原料传送速度的步骤，

求取所述目标晶体直径的步骤包含如下步骤：通过比较所述当前的原料直径和所述原料的最大直径来判断熔化区域是否到达了所述原料的肩并且在所述熔化区域到达所述肩的时间点对所述直径差进行校正使得成为比到达所述原料的肩稍前小的值，使用校正后的所述直径差来求取所述目标晶体直径。

2.根据权利要求1所述的单晶体的制造方法，其中，在从所述目标原料传送速度减去当前的原料传送速度而得到的原料传送速度的目标变化量为预先设定的原料传送速度的阶梯幅度以上的情况下，以所述阶梯幅度使所述当前的原料传送速度发生变化，在为不足所述阶梯幅度的情况下，维持所述当前的原料传送速度。

3.一种单晶体的制造装置，所述单晶体的制造装置是利用悬浮区熔法的单晶体的制造装置，所述悬浮区熔法具有：

熔接工序，使晶种与原料的熔化后的顶端部熔接；

锥形部培养工序，一边使在所述晶种的上方生长的单晶体的晶体直径增加一边使所述单晶体生长；以及

直筒部培养工序，在将所述晶体直径保持为固定的状态下使所述单晶体生长，所述单晶体的制造装置的特征在于，具有：

直径测定部，分别测定当前的原料直径和晶体直径；

第一运算部，参照将单晶体生长单位长度时的晶体直径的目标增加量即直径差与增加前的晶体直径关联起来记录的直径差分布来求取与所述当前的晶体直径对应的直径差；

第二运算部，求取对所述当前的晶体直径加上所述直径差后的目标晶体直径；以及

第三运算部，计算对所述目标晶体直径与所述当前的原料直径的比的平方乘以当前的晶体传送速度而得到的目标原料传送速度，

所述第二运算部通过比较所述当前的原料直径和所述原料的最大直径来判断熔化区域是否到达了所述原料的肩并且在所述熔化区域到达所述肩的时间点对所述直径差进行校正使得成为比到达所述原料的肩稍前小的值，使用校正后的所述直径差来求取所述目标晶体直径。