[发明专利]一种视觉假体中视神经刺激器电路在审
申请号: | 201510693292.6 | 申请日: | 2015-10-21 |
公开(公告)号: | CN106606818A | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 田荣侠 | 申请(专利权)人: | 田荣侠 |
主分类号: | A61N1/36 | 分类号: | A61N1/36;A61F2/14;A61F9/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110180 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 视觉 中视 神经 刺激 电路 | ||
1.一种视觉假体中视神经刺激器电路,其特征是:所述的视神经刺激器电路框架由带隙基准电路、多基准产生电路、ASK解调电路、数模转换器(DAC )、压控振荡电路以及正负电流脉冲产生电路组成。
2.根据权利要求1所述的一种视觉假体中视神经刺激器电路,其特征是:所述带隙基准电路中为保证基准源电路摆脱初始锁定状态而顺利启动,电路通常需要启动电路。
3.根据权利要求1所述的一种视觉假体中视神经刺激器电路,其特征是:所述带隙基准电路中M6-M9构成的NMOS共源共栅级联可以使NMOS管的管压降在电源电压变化时保持恒定,M10-M13构成PMOS共源共栅电流镜,为双极晶体管Ql,Q2提供偏置。
4.根据权利要求1所述的一种视觉假体中视神经刺激器电路,其特征是:所述带隙基准电路中,M14,M15镜像PTAT电流源的偏置电流,正温度系数的电压,双极晶体管Q3的Vbe提供负的温度系数,和双极晶体管的集电极面积之比n,获得随温度和电源变化很小流过电阻R4,形成具有通过调节电阻比率R4/R3的基准电压。
5.根据权利要求1所述的一种视觉假体中视神经刺激器电路,其特征是:所述多基准产生电路中,运放控制PMOS管MP为串联电阻提供电流,电流流过各串联电阻,产生压降,通过调整R1, R2, R3, R4的大小,就可以获得所需的偏置电压。
6.根据权利要求1所述的一种视觉假体中视神经刺激器电路,其特征是:所述ASK解调电路采用集成电路方式实现,输入信号Vsignal通过M1、M2组成的源跟随器、M3-M5组成的电流饥饿型反相器以及M6和M7组成的反相器。
7.根据权利要求1所述的一种视觉假体中视神经刺激器电路,其特征是:所述DAC电路用PMOS晶体管实现二进制加权电流漏型DAC,选9位DAC,LSB为1uA,这样可以实现DAC输出电流在512倍以内任意倍可调。
8.根据权利要求1所述的一种视觉假体中视神经刺激器电路,其特征是:所述压控振荡器采用电流饥饿型压控振荡器,M2和M3管用作反相器,M1和M4用作电流源,M1和M4构成的电流源控制着流过M2和M3管的电流。
9.根据权利要求1所述的一种视觉假体中视神经刺激器电路,其特征是:所述正负向电流脉冲产生电路通过NMOS管M7-M10组成的共源共栅电流镜产生负向电流,并将其传送至PMOS管M1-M6组成的共源共栅电流镜以产生正向电流。
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