[发明专利]一种半导体取暖装置在审
申请号: | 201510693477.7 | 申请日: | 2015-10-24 |
公开(公告)号: | CN105202612A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 唐玉敏;虞红伟 | 申请(专利权)人: | 唐玉敏;虞红伟 |
主分类号: | F24D13/00 | 分类号: | F24D13/00;F24D19/10 |
代理公司: | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人: | 赵卫康 |
地址: | 315400 浙江省宁波*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 取暖 装置 | ||
1.一种半导体取暖装置,包括半导体发热单元(2)、与所述半导体发热单元(2)电连接并为所述半导体发热单元(2)供电的供电单元(1);所述半导体发热单元(2)包括半导体发热板,所述半导体发热板包括用于释放热量的热端(21)、用于吸收热量的冷端(22)、设置在所述热端(21)和所述冷端(22)之间的P型半导体(23)和N型半导体(24)、以及连接所述N型半导体(24)和所述P型半导体(23)的金属导体(25);所述金属导体(25)设置用于连接所述供电单元(1)的正负电极;其特征在于:所述N型半导体(24)设置石墨烯层,或者所述P型半导体(23)设置石墨烯层,或者所述N型半导体(24)和所述P型半导体(23)均设置石墨烯层(26)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体取暖装置,其特征在于:所述所述P型半导体(23)设置石墨烯层(26);所述N型半导体(23)具有石墨烯纯度高于所述P型半导体(24)的石墨烯层的石墨烯纯度的石墨烯层。
3.根据权利要求1或2所述的一种半导体取暖装置,其特征在于:还包括送暖单元(3)。
4.根据权利要求1或2所述的一种半导体取暖装置,其特征在于:所述冷端(22)设置除霜装置(5)。
5.根据权利要求1或2所述的一种半导体取暖装置,其特征在于:还包括用于调节所述供电单元(1)的电流大小的电流调节单元。
6.一种半导体取暖装置,包括半导体发热单元(2)、与所述半导体发热单元(2)电连接并为所述半导体发热单元(2)供电的供电单元(1);所述半导体发热单元(2)包括半导体发热板,所述半导体发热板包括用于释放热量的热端(21)、用于吸收热量的冷端(22)、设置在所述热端(21)和所述冷端(22)之间的P型半导体(23)和N型半导体(24)、以及连接所述N型半导体(24)和所述P型半导体(23)的金属导体(25);所述金属导体(25)设置用于连接所述供电单元(1)的正负电极;其特征在于:所述N型半导体(24)添加石墨烯颗粒,或者所述P型半导体(23)添加石墨烯颗粒,或者所述N型半导体(24)和所述P型半导体(23)均添加石墨烯颗粒。
7.根据权利要求7所述的一种半导体取暖装置,其特征在于:所述N型半导体(3)添加石墨烯颗粒,所述P型半导体(4)添加石墨烯颗粒,并且所述N型半导体的石墨烯颗粒的石墨烯纯度高于所述P型半导体(4)的石墨颗粒的石墨烯纯度。
8.根据权利要求7或8所述的一种半导体取暖装置,其特征在于:还包括送暖单元(3)。
9.根据权利要求7或8所述的一种半导体取暖装置,其特征在于:所述冷端(22)设置除霜装置(5)。
10.根据权利要求7或8所述的一种半导体取暖装置,其特征在于:还包用于调节所述供电单元(1)的电流大小的电流调节单元。
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