[发明专利]一种制冷装置在审
申请号: | 201510693498.9 | 申请日: | 2015-10-24 |
公开(公告)号: | CN105202801A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 唐玉敏;虞红伟 | 申请(专利权)人: | 唐玉敏;虞红伟 |
主分类号: | F25B21/02 | 分类号: | F25B21/02 |
代理公司: | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人: | 赵卫康 |
地址: | 315400 浙江省宁波*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制冷 装置 | ||
1.一种制冷装置,包括可密闭的制冷空间(1)、半导体制冷片(2)、电连接所述半导体制冷片(2)并为其供直流电的电源(3);所述半导体制冷片(2)包括用于吸热的冷端(21)、用于散热的热端(22)、设置在所述冷端(21)和热端(22)之间的N型半导体(23)、设置在所述冷端(21)和所述热端(22)之间的P型半导体(24),以及连接所述N型半导体(23)和所述P型半导体(24)的金属导体(25),所述金属导体(25)设置用于连接所述电源(3)的正负电极;所述冷端(21)与所述制冷空间(1)导热连接;其特征在于:所述N型半导体(23)设置石墨烯层或者所述P型半导体(24)设置石墨烯层或所述N型半导体(23)和所述P型半导体(24)均设置石墨烯层(26)。
2.根据权利要求1所述的一种制冷装置,其特征在于:所述P型半导体(24)设置石墨烯层;所述N型半导体(23)具有石墨烯纯度高于所述P型半导体(24)的石墨烯层的石墨烯纯度的石墨烯层。
3.根据权利要求1或2所述的一种制冷装置,其特征在于:所述散热装置(4)包括与所述热端(22)进行热传递的导热体(41)、与所述导热体(41)导热连接的散热片(42),所述导热体(41)为石墨烯导热体。
4.根据权利要求1或2所述的一种制冷装置,其特征在于:所述制冷装置电源(3)设置用于调节所述电源(3)的电流大小的电流调节单元。
5.根据权利要求1或2所述的一种制冷装置,其特征在于:所述制冷空间(1)的外壁设置保温隔热层(11)。
6.一种制冷装置,包括可密闭的制冷空间(1)、半导体制冷片(2)、电连接所述半导体制冷片(2)并为其供直流电的电源(3);所述半导体制冷片(2)包括用于吸热的冷端(21)、用于散热的热端(22)、设置在所述冷端(21)和热端(22)之间的N型半导体(23)、设置在所述冷端(21)和所述热端(22)之间的P型半导体(24),以及连接所述N型半导体(23)和所述P型半导体(24)的金属导体(25),所述金属导体(25)设置用于连接所述电源(3)的正负电极;所述冷端(21)与所述制冷空间(1)导热连接;其特征在于:所述N型半导体(23)添加石墨烯颗粒(27),或者所述P型半导体(24)添加石墨烯颗粒(27),或者所述N型半导体(23)和所述P型半导体(24)均添加石墨烯颗粒(27)。
7.根据权利要求1所述的一种制冷装置,其特征在于:所述N型半导体(23)添加石墨烯颗粒,所述P型半导体(24)添加石墨烯颗粒,并且所述N型半导体的石墨烯颗粒的石墨烯纯度高于所述P型半导体(24)的石墨颗粒的石墨烯纯度。
8.根据权利要求1或2所述的一种制冷装置,其特征在于:所述散热装置(4)包括与所述热端(22)进行热传递的导热体(41)、与所述导热体(41)导热连接的散热片(42),所述导热体(41)为石墨烯导热体。
9.根据权利要求1或2所述的一种制冷装置,其特征在于:所述制冷装置电源(3)设置用于调节所述电源(3)的电流大小的电流调节单元。
10.根据权利要求1或2所述的一种制冷装置,其特征在于:所述制冷空间(1)的外壁设置保温隔热层(11)。
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