[发明专利]一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件，其特征在于：在HEMT器件的异质结平面材 料上通过光刻并刻蚀形成有平行且间隔设置的多个Fin，在该Fin上设置有T型结构并为梳 齿状的栅。

2.根据权利要求1所述的一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件，其特征在于：上述 栅包括栅头和栅脚，所述栅脚的上表面为平面，下表面为梳齿形状，梳齿中的每个齿刚好填 充在相邻Fin之间的空隙。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件，其特征在于：上 述栅包括栅头和栅脚，所述栅脚的最大高度大于Fin结构的高度。

4.根据权利要求1或2所述的一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件，其特征在于：上 述栅包括栅头和栅脚，所述栅脚的上表面高于Fin结构的上表面。

5.根据权利要求1所述的一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件，其特征在于：所述 栅头为平板状结构，栅头的下表面接触栅脚的上表面。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件，其 特征在于：所述栅设置在Fin结构的中心位置或者偏置放置。

7.一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤(1)：在GaN异质结平面材料上表面制作Fin结构；

步骤(2)：在步骤(1)得到的器件上表面涂覆第一光刻胶，直至第一光刻胶完全覆盖Fin 的上表面；

步骤(3)：在第一光刻胶的上表面涂覆第二光刻胶，保证第二光刻胶完全覆盖第一光刻 胶；

步骤(4)：在第二光刻胶的上表面光刻形成T型槽，该T型槽截止面为Fin结构的上表面；

步骤(5)在上述T型槽内沉积形成T型的栅金属。

8.根据权利要求7所述的一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件的制备方法，其特征 在于：步骤(4)中T型槽的形成方法为：在第二光刻胶的表面进行二次曝光，其中，第一次曝 光的曝光剂量保证第一光刻胶和第二光刻胶同时发生反应，第二次曝光的曝光剂量保证仅 上层的第二光刻胶发生反应而第一光刻胶不发生反应，且第一次曝光的曝光窗口区域包含 于第一次曝光的曝光窗口区域之内。

9.根据权利要求7所述的一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件的制备方法，其特征 在于：步骤(5)的具体方法为：首先在步骤(4)得到的器件表面采用金属沉积工艺沉积金属 层，然后剥离掉第一和第二光刻胶以及第二光刻胶表面多余的金属，形成T型结构的栅，即 可。