[发明专利]ITO导电玻璃上集成增强基底的SERS微流控芯片及制备方法

权利要求书

1.基于ITO导电玻璃上集成纳米增强基底的SERS微流控芯片，其由集成SERS增强基底的ITO基片与PDMS盖片键合而成；其特征在于：在PDMS盖片上有多条平行微通道，微通道顶面开敞，在与ITO基片键合后封闭，每条通道两端设置与通道尺寸匹配的进液口与出液口；在ITO基片上通过同步电化学沉积集成有SERS增强基底，在对应PDMS盖片上每条微通道的位置至少形成一个SERS检测区；

所述SERS检测区通过同步电化学沉积有直径在50～200nm范围的纳米金属颗粒。

2.根据权利要求1所述的基于ITO导电玻璃上集成纳米增强基底的SERS微流控芯片，其特征在于，所述微通道宽度为50μm~300μm，深度为5~200μm。

3.根据权利要求1所述的基于ITO导电玻璃上集成纳米增强基底的SERS微流控芯片，其特征在于，对应同一通道设计的SERS检测区相互平行，检测区长1mm~ 10mm。

4.权利要求1-3所述的SERS微流控芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）制备带有多条平行微通道、进液口和出液口的PDMS盖片；

（2）制备集成SERS增强基底的ITO基片：

（2.1) 采用两步计时电流沉积方法，以ITO基片为工作电极，直接在其表面电化学沉积制备纳米金属颗粒，得到金、银或铜金属纳米粒子直径在50～200nm范围的增强介质层，形成SERS基底；

（2.2）将SERS检测区以外的纳米增强基底去掉，仅保留SERS检测区的增强基底；

（3）将制备好的带有微通道的盖片和集成有SERS活性基底的ITO导电玻璃基片键合，将金属纳米SERS基底封闭到PDMS微通道内，得到复合式多通道微流控SERS芯片。

5.根据权利要求4所述的基于ITO导电玻璃上集成纳米增强基底的SERS微流控芯片的制备方法，其特征在于，两步计时电流沉积是在-10.8~1.2v沉积40~60s，在-0.2V分别沉积2000s~3000s。

6.根据权利要求4所述的基于ITO导电玻璃上集成纳米增强基底的SERS微流控芯片的制备方法，其特征在于，两步计时电流沉积是在-1.0v沉积50s，在-0.2V分别沉积2500s。

7.根据权利要求4所述的基于ITO导电玻璃上集成纳米增强基底的SERS微流控芯片的制备方法，其特征在于，采用三电极体系，以铂电极为对电极，饱和苷汞电极为辅助电极，20mm×20mm 的ITO导电玻璃为工作电极，用含0.3mol/L的KNO₃和0.8mmol/L的银氨的混合溶液为电解液。

8.根据权利要求4所述的基于ITO导电玻璃上集成纳米增强基底的SERS微流控芯片的制备方法，其特征在于，微通道宽度为50μm~300μm，深度为5~200μm。

9.根据权利要求4所述的基于ITO导电玻璃上集成纳米增强基底的SERS微流控芯片的制备方法，其特征在于，对应同一通道设计的SERS检测区相互平行，检测区长度为1mm~10mm。